公共文化服务平台

共 6 条记录，以下是 1-6

全选清除导出

排序方式：

激光织构的晶体硅太阳电池减反射结构研究: 太阳电池的表面反射率是提高太阳电池效率的主要途径之一.采用激光织构制作倒金字塔结构,可有效降低硅表面的反射率,同时适用于单晶硅和多晶硅材料.激光织构倒金字塔包括激光刻槽与快速去损伤两步,制作的倒金字塔结构尺寸均匀,覆盖率...; 朱小宁黄永光王熙元崔晓朱洪亮; 关键词：晶体硅太阳电池产品质量

硅中硫和磷元素重掺杂引发的子带隙红外光吸收特征对比: 本文利用离子注入单晶硅表面的方法分别研制了硫和磷重掺杂的硅材料，并对比了二者在准分子激光退火和热退火前后的光吸收率变化特征。对低于硅带隙的1100～2600nm的近红外光波段吸收率的考察发现，准分子激光退火后，磷和硫重掺...; Xiao Cui崔晓Yongguang Huang黄永光Dewei Liu刘德伟Xiyuan Wang王熙元Xiaoning Zhu朱小宁Hongliang Zhu朱洪亮; 关键词：硅材料重掺杂红外吸收

Cu溅射诱导增强量子阱混杂实验研究被引量：1: 2014年; 在InP基异质结InGaAsP多量子阱(MQW)结构上溅射Cu/SiO2复合层,开展了量子阱混杂(QWI)材料的实验研究。经快速退火(RTA),实现了比常规无杂质空位扩散(IFVD)方法更大的带隙波长蓝移量。在750℃、200s的退火条件下,获得最大172nm的波长蓝移;通过改变退火条件,可实现不同程度的蓝移,满足光子集成技术中不同器件对带隙波长的需求。为了验证其用于光子集成领域的可行性,利用混杂技术分别制备了宽条激光器和单片集成电吸收调制激光器(EML)。在675℃退火温度,80s、120s和200s的退火时间下分别实现了61、81和98nm的波长蓝移;并且,相应的宽条激光器的电激射光(EL)谱偏调量与其材料的光致荧光(PL)谱偏调量基本一致。在675℃、120s退火条件下,制备的EML集成器件中,电吸收调制器(EAM)和分布反馈(DFB)激光器区的蓝移量分别83nm和23.7nm,相对带隙差为59.3nm。EML集成器件在激光器注入电流为100mA、调制器零偏压时出光功率达到9.6mW;EAM施加-5V反向偏压时静态消光比达16.4dB。; 崔晓张灿梁松Hou Lianping朱洪亮

实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法: 本发明提供了一种实现半导体量子阱结构带隙蓝移的方法。该方法包括：在量子阱结构上沉积表面牺牲层；通过超短脉冲激光辐照或者扫描选定区域的表面牺牲层，以在该区域的表面牺牲层实现化学变性或者引入结构缺陷，形成激光改性区；对包括量...; 黄永光朱洪亮崔晓; 文献传递

硅中硫和磷元素重掺杂引发的子带隙红外光吸收特征对比: 本文利用离子注入单晶硅表面的方法分别研制了硫和磷重掺杂的硅材料，并对比了二者在准分子激光退火和热退火前后的光吸收率变化特征。对低于硅带隙的1100～2600NM的近红外光波段吸收率的考察发现，准分子激光退火后，磷和硫重掺...; 崔晓黄永光刘德伟王熙元朱小宁朱洪亮; 关键词：重掺杂激光退火; 文献传递网络资源链接

EWT单晶硅太阳电池工艺与讨论: 背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点，是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于P型单晶硅衬底的EWT背接触太阳电池工艺流程，测试了器件在模拟光照下的I-V特性，讨论了激光打孔与去除热损伤、扩散发射...; 朱小宁黄永光刘德伟王熙元崔晓王宝军朱洪亮; 关键词：激光打孔发射极通孔金属化; 文献传递网络资源链接

全选清除导出

共1页<1>

崔晓