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宋炳文

作品数：50 被引量：58H指数：4
供职机构：昆明物理研究所更多>>
发文基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 13篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 36篇电子电信
  • 7篇理学

主题

  • 22篇碲镉汞
  • 13篇红外
  • 11篇晶体
  • 8篇MOVPE
  • 7篇晶体生长
  • 6篇碲镉汞薄膜
  • 6篇碲镉汞晶体
  • 5篇探测器
  • 5篇碲锌镉
  • 5篇红外探测
  • 5篇红外探测器
  • 4篇光谱
  • 4篇红外材料
  • 4篇HGCDTE
  • 4篇衬底
  • 3篇圆偏振
  • 3篇圆偏振光
  • 3篇偏振
  • 3篇偏振光
  • 3篇偏振光谱

机构

  • 50篇昆明物理研究...
  • 7篇西北工业大学
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 50篇宋炳文
  • 15篇姬荣斌
  • 13篇王跃
  • 9篇杨玉林
  • 8篇刘朝旺
  • 8篇李全保
  • 7篇唐利斌
  • 7篇吴刚
  • 7篇韩庆林
  • 6篇黄晖
  • 6篇介万奇
  • 6篇周尧和
  • 6篇王静宇
  • 5篇赵增林
  • 5篇段瑜
  • 5篇李全葆
  • 4篇张筱丹
  • 4篇马庆华
  • 4篇郑云
  • 4篇万锐敏

传媒

  • 22篇红外技术
  • 3篇第七届红外技...
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇激光与红外
  • 2篇半导体光电
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇红外与激光技...
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇2005年全...
  • 1篇第五届全国分...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇1989年全...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第八届全国红...

年份

  • 5篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
  • 3篇2001
  • 9篇2000
  • 3篇1999
  • 4篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 3篇1990
  • 2篇1989
  • 1篇1988
  • 3篇1986
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
晶体生长过程中首先凝固点的实验观察
2000年
由于技术上的原因 ,“首先凝固点”很难观察到。通过在Bridgman法生长HgCdTe晶体过程中进行淬火 ,观察到尺寸较小的“首先凝固区域” ,其固液界面为凹形抛物面。
王跃李全保韩庆林马庆华宋炳文介万奇周尧和
关键词：晶体
MOVPE-HgCdTe薄膜掺杂研究的进展
2000年
MOVPE是生长HgCdTe薄膜的主要技术之一 ,它可以灵活地控制掺杂浓度和原位生长高性能的p n异质结和双异质结双波段p n N P的HgCdTe薄膜。文中还简要介绍近年在MOVPE HgCdTe薄膜的掺杂研究中 ,施主掺杂和受主掺杂的研究情况以及取得的最新近展。EI和DMAAs分别是广泛采用的施主和受主掺杂剂。
宋炳文
关键词：碲镉汞掺杂
Hg1-xCdxTe薄模研究进展
本文介绍了昆明物理研究所He1-xCdxTe薄膜材料研究的最新进展,报道了外延薄膜的晶体结构质量、电学参数等.用我所研制的He1-xCdxTe薄膜材料成功地制备出性能较好的焦平面探测器.
姬荣斌张梅吴刚杨玉林张静蓉陈建才马庆华何景福宋炳文
关键词：红外焦平面EPD
文献传递
用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析被引量：4
1994年
用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。
刘朝旺宋炳文
关键词：XPS化学特性
采用竖直炉装置沉积碳或氮化硼薄膜技术
本发明属于一种真空镀膜技术，主要用于在石英容器内壁上沉积光亮、均匀、附着牢固的优质碳或氮化硼膜层，也可以用于其它坩埚类容器内壁上镀制膜层。其主要技术方案是：由竖直炉、管架、真空机组、质量流量控制器，丁烷或硼烷裂解源组成一...
赵增林万锐敏岳全龄王晓薇张鹏举胡赞东姬荣斌宋炳文蔡春江
文献传递
HgCdTe固态再结晶技术工艺改进被引量：1
2000年
HgCdTe固态再结晶技术主要包括合成 -淬火 -退火三个过程 ,文中对其中的合成工艺和淬火工艺进行改进 ,获得了较为满意的结果。用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大、组份均匀、结构完整、电学参数好 ,并已做出多种高性能红外探测器。
李全葆王跃韩庆林李玉德宋炳文
关键词：碲镉汞红外材料
有机红外半导体酞菁铒的掺杂及电学性质研究被引量：1
2008年
对固相合成法制备的有机红外半导体ErPc2进行了碘掺杂,有效地将ErPc2的电阻率降低了约3个数量级.研究了本征和碘掺杂有机红外半导体ErPc2电阻的温度依赖关系,碘的掺杂除显著地降低了ErPc2材料的电阻外,其电阻的温度特性没有本质的变化,本征和碘掺杂ErPc2都表现出指数型的电阻温度依赖关系.碘掺杂有效地降低了载流子的热激活能,使更多的载流子得以参与导电,掺杂后指前因子的减小也为降低材料的电阻率作出了贡献.解释了在高电场强度下本征有机红外半导体ErPc2的指数I-V关系.
唐利斌姬荣斌宋立媛陈雪梅李永亮荣百炼宋炳文
关键词：掺杂电学性质
富碲的碲镉汞相图的理论计算以及同实验结果的比较
杨彦宋炳文
关键词：碲合金镉合金汞合金相图液相外延生长液相线
一种新型溶胶-凝胶方法制备ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究被引量：7
2006年
使用一种新型的溶胶-凝胶方法制备了ZnO薄膜,此方法的特点在于操作简单、无毒、实用。此方法可在非单晶基片(如玻璃、石英等)上制备最大晶粒尺寸大于100 nm的大面积ZnO薄膜。利用椭圆偏振光谱观察到了所制备ZnO薄膜折射率随光子能量的增加在光子能量等于禁带宽度处出现峰值的现象;计算了ZnO薄膜的光学带隙;证明了ZnO薄膜中存在由氧空位和锌间隙原子在带隙中引入的缺陷能级。
唐利斌郑云吴刚姬荣斌宋炳文黄晖
关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶椭圆偏振光谱
MCT单晶中的应变研究被引量：5
1990年
用X光衍射方法,测量了固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的衍射角2θ,近似计算出单晶生长方向的应变。MCT单晶的组份为x=0.214,生长方向分别为(111)(110)和(100)。初步实验的结果表明,固态再结晶法生长的MCT单晶生长方向的最大应变为10^(-4);其应变与MCT单晶的晶向没有明显的对应关系,而主要与生长工艺有关。
王跃蔡毅李全保宋炳文
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