杨玉林
- 作品数：20 被引量：30H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究被引量：1
- 2007年
- 采用分子束外延方法,在GaAs(111)B衬底上,生长CdTe薄膜,以求研制出用于液相外延生长碲镉汞(HgCdTe)薄膜的CdTe/GaAs(111)B复合衬底。通过理论分析和实验探索,优化了生长温度和Te/Cd束流比等重要生长参数,获得了质量较好的CdTe薄膜,再通过循环热处理,使CdTe/GaAs(111)B复合衬底的质量得到进一步的提高,X-射线回摆曲线半峰宽(FWHM)有明显的降低。为LPE-HgCdTe薄膜的生长打下了较好基础。
- 杨玉林赵俊杨宇姬荣斌
- 关键词：MBECDTEGAASHGCDTE
- 气相外延法生长碲镉汞薄膜的形貌特性研究
- 2005年
- MOVPE(Metal-organicvapourphaseepitaxy)是目前流行的一种生长衬底上生长半导体薄膜材料的方法.讨论在碲锌镉(CdZnTe)和GaAs衬底上生长HgCdTe薄膜,通过实验得出,碲锌镉衬底和GaAs衬底的晶片方向、结晶完整性、缺陷浓度及生长前衬底的处理工艺都会严重影响到碲镉汞薄膜表面特性.
- 杨志远杨玉林
- 关键词：碲镉汞气相外延碲锌镉
- MOVPE有CdTe衬底的损伤层研究
- 对用于有机金属汽相外延(MOVPE)生长的<211>方向的碲化镉(CdTe)衬底进行多次抛光、腐蚀，在相同的测量条件下，测其X射线双晶衍射回摆曲线的全半高宽度(FWHM)，研究CdTe衬底的表面损伤。
- 王静宇刘朝旺杨玉林宋炳文
- 关键词：损伤层
- MOVPE生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的实验研究
- 2002年
- 采用金属有机化合物汽相外延法 (MOVPE)和多层膜互扩散生长工艺 (IMP)在不同的生长条件下生长了许多Hg1-xCdxTe/GaAs(2 11)薄膜样品 ,并对样品进行了傅利叶红外透射 (FTIR)和范德堡Hall测量 ;通过对许多实验数据进行系统的对比分析 ,总结了薄膜的生长规律 ,并对这些生长规律作出了理论分析 ,阐释了薄膜的微观生长机制。
- 张怀若杨玉林张梅李艳辉张静蓉杨宇姬荣斌
- 关键词：汽相外延厚度红外探测器
- Hg1-xCdxTe薄模研究进展
- 本文介绍了昆明物理研究所He1-xCdxTe薄膜材料研究的最新进展,报道了外延薄膜的晶体结构质量、电学参数等.用我所研制的He1-xCdxTe薄膜材料成功地制备出性能较好的焦平面探测器.
- 姬荣斌张梅吴刚杨玉林张静蓉陈建才马庆华何景福宋炳文
- 关键词：红外焦平面EPD
- 文献传递
- 分子束外延系统束流系综理论分析被引量：6
- 2006年
- 分子束外延(MBE)生长薄膜材料是一种非平衡态生长,生长过程主要由分子束流和晶体表面反应动力学控制。分子束流控制对生长的影响很大,真空蒸发理论导出的平衡蒸气压模型是目前描述分子束流的主要模型之一,但在实际应用中,模型在高蒸气压条件下对束流的描述存在较大偏差,制约生长的薄膜的化学组分均匀性和结构的单晶完整性的提高。本文系统研究了MBE生长HgCdTe薄膜过程的束流情况,采用系综理论,建立巨正则理论模型模拟束流情况,实验表明,相比平衡蒸气压模型,该模型能更准确的描述分子束流的本征物理行为。
- 赵俊杨玉林李艳辉宋立媛姬荣斌
- 关键词：系综
- 一种在线检测红外焦平面探测器杜瓦瓶寿命的装置及方法
- 本发明提供一种在线检测红外焦平面探测器杜瓦瓶寿命的装置及方法，包括真空室以及与真空室相连的若干工位接口，通过测量排气管与一个工位接口相连的测量组件；所述测量组件的另一端设有第二BA热阴极规管，第二BA热阴极规管依次与真空...
- 李建林朱颖峰赵鹏杨玉林赵榆松赵俊徐世春
- 文献传递
- HgCdTe/CdZnTe的MOVPE生长形貌特性
- 2005年
- 描述了碲锌镉(CZT)衬底性质对碲镉汞(MCT)薄膜结构的影响,碲锌镉晶片的取向、结晶完整性、缺陷浓度及对碲锌镉晶片的生长前处理都会影响碲镉汞薄膜表面特性,薄膜结构随碲锌镉衬底质量提高而改善。
- 张静蓉姬荣斌杨玉林宋炳文
- 关键词：碲镉汞碲锌镉FWHM
- 碲镉汞薄膜的有机金属化合物汽相外延生长被引量：5
- 1997年
- 利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底上按不同条件生长碲化镉、碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分、表面形态、薄膜厚度、红外透射比和电学特性等，其中有原生的和经过一定条件退火处理的结果。
- 宋炳文刘朝旺王跃王静宇杨玉林
- 关键词：碲镉汞薄膜MOVPE红外光学材料
- 碲镉汞薄膜的MOVPE生长和特性
- 2000年
- 报道了在水平、常压MOVPE实验型生产装置中 ,采用互扩散多层工艺 (IMP) ,用金属有机化合物DMCd、DiPTe和元素Hg ,在CdTe和GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜 ,其组分和薄膜厚度的均匀性以及p型电学性质 ,初步达到了目前红外焦平面列阵研制的要求 ,同时 ,这种薄膜的生长具有一定重复性。
- 王静宇刘朝旺杨玉林宋炳文
- 关键词：MOVPEHGCDTE薄膜生长
