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刘朝旺

作品数：15 被引量：25H指数：3
供职机构：昆明物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇MOVPE
  • 4篇碲镉汞
  • 4篇红外
  • 4篇CDTE
  • 3篇碲镉汞薄膜
  • 3篇XPS
  • 3篇衬底
  • 2篇射线
  • 2篇砷化镓
  • 2篇损伤层
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇光学
  • 2篇光学材料
  • 2篇红外光
  • 2篇红外光学
  • 2篇红外光学材料
  • 2篇X射线
  • 2篇HGCDTE...
  • 2篇MOVPE生...

机构

  • 15篇昆明物理研究...
  • 1篇西北工业大学

作者

  • 15篇刘朝旺
  • 8篇宋炳文
  • 6篇杨玉林
  • 6篇王静宇
  • 3篇黄晖
  • 2篇何永成
  • 2篇王跃
  • 2篇肖绍泽
  • 2篇莫玉东
  • 2篇雷春红
  • 2篇吴刚
  • 1篇任万兴
  • 1篇介万奇
  • 1篇周尧和

传媒

  • 6篇红外技术
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 4篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOVPE有CdTe衬底的损伤层研究
于有机金属汽相外延(MOVPE)生长的<211>方向的碲化镉(CdTe)衬底进行多次抛光、腐蚀，在相同的测量条件下，测其X射线双晶衍射回摆曲线的全半高宽度(FWHM)，研究CdTe衬底的表面损伤。
宋炳文杨玉林刘朝旺王静宇
关键词：损伤层CDTE
掺杂ＭＢＥ ＧａＡｓ薄膜的调制光谱研究－－Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ振荡线形
黄晖刘朝旺
关键词：砷化镓调制光谱学半导体材料
外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析
该文用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe（简称MCT）薄膜所用CdZnTe（简称CZT）衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前，对表面结构完整性的主...
刘朝旺雷春红莫玉东何永成吴刚黄晖
关键词：HGCDTE薄膜
文献传递
MOVPE有CdTe衬底的损伤层研究
对用于有机金属汽相外延(MOVPE)生长的<211>方向的碲化镉(CdTe)衬底进行多次抛光、腐蚀，在相同的测量条件下，测其X射线双晶衍射回摆曲线的全半高宽度(FWHM)，研究CdTe衬底的表面损伤。
王静宇刘朝旺杨玉林宋炳文
关键词：损伤层
用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析被引量：4
1994年
用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。
刘朝旺宋炳文
关键词：XPS化学特性
布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的性能被引量：3
1992年
本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。
肖绍泽任万兴颜瑞菊刘朝旺
关键词：碲镉汞晶体生长
生长MCT晶体的改进型Bridgman方法:ACRT-B被引量：2
1991年
本文介绍一种经改进的采用加速坩埚旋转技术的Bridgman方法(ACRT-B)及ACRT-B用于生长MCT晶体得到的重要结果。与传统Bridgman方法生长的晶体相比,ACRT-B生长的晶体的径向组份均匀性得到很大改善;有用组份的晶片较多;晶体的结晶度好;主晶粒数目减少。ACRT-B工艺中,影响晶体质量最重要的旋转参数是最大旋转速率,而保持在最大旋转速率的时间和停止时间及反向旋转对结果的影响都很小。
刘朝旺肖绍泽
关键词：红外探测器晶体生长
CdZnTe衬底表面结构分析被引量：5
1996年
报道用ＸＰＳ研究Ｃｄ（１－ｙ）ＺｎｙＴｅ（ｙ＝０．００；０．０４）衬底经机械抛光后（Ｐ表面）和化学抛光后（ＰＥ表面）的表面化学配比和表面结构。ＭｇＯ粉机械抛光后，表面为富Ｃｄ层，溴（２％体积比）乙醇溶液化学抛光后，表面为贫Ｃｄ层；２～４．５ｋＶＡｒ＋溅射表面，不导致元素的择优溅射，表面化学配比接近用电镜测量所得的体内组份值。ＣｄＴｅＰ表面和汗表面结构分别为Ｃｄ／Ｔｅ／／ＣｄＴｅ和Ｔｅ／／ＣｄＴｅ．置于室温空气中氧化（ＰＯ表面和ＰＥＯ表面）４个月形成的氧化物分别为Ｃｄ（ＯＨ）２和ＴｅＯ２及ＣｄＴｅＯ４和ＴｅＯｘ（Ｘ＜１），表面结构分别为Ｃｄ（ＯＨ）２／Ｔｅｑ／／ＣｄＴｅ和ＴｅＯｘ／／ＣｄＴｅＯ４／／ＣｄＴｅ（／符号表示混合物，／／符号表示界面）。
刘朝旺
关键词：衬底机械抛光化学抛光红外光学材料
外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析
用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe（简称MCT）薄膜所用CdZnTe（简称CZT）衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前，对表面结构完整性的主要影...
黄晖吴刚何永成莫玉东雷春红刘朝旺
关键词：X射线
碲镉汞薄膜的有机金属化合物汽相外延生长被引量：5
1997年
利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底上按不同条件生长碲化镉、碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分、表面形态、薄膜厚度、红外透射比和电学特性等，其中有原生的和经过一定条件退火处理的结果。
宋炳文刘朝旺王跃王静宇杨玉林
关键词：碲镉汞薄膜MOVPE红外光学材料
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