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黄秋柳

作品数:10 被引量:23H指数:3
供职机构:重庆大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金重庆市自然科学基金国家教育部“211”工程更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇溅射
  • 6篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇透明导电
  • 4篇溅射制备
  • 3篇光学
  • 3篇光学性
  • 3篇磁控溅射制备
  • 2篇电学
  • 2篇电学性质
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇透明导电膜
  • 2篇光电
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇光学性质
  • 2篇和光
  • 2篇ZNO
  • 2篇衬底

机构

  • 10篇重庆大学
  • 3篇重庆师范大学
  • 2篇重庆理工大学

作者

  • 10篇黄秋柳
  • 8篇方亮
  • 6篇吴芳
  • 4篇彭丽萍
  • 4篇阮海波
  • 3篇杨小飞
  • 3篇周科
  • 2篇谌夏
  • 2篇孔春阳
  • 2篇魏文猴
  • 1篇刘高斌
  • 1篇郭北斗
  • 1篇马勇
  • 1篇龚劬
  • 1篇黄春杨

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇材料导报
  • 1篇重庆大学学报...
  • 1篇计算机技术与...

年份

  • 3篇2012
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO∶In薄膜光电性能的影响被引量:1
2009年
以粉末靶为溅射源,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌(ZnO∶In)透明导电膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测试仪,以及分光光度计等对不同衬底温度下生长的ZnO∶In薄膜的结构、光电性能进行表征。结果表明,所有制备的ZnO∶In薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)择优取向。ZnO∶In薄膜的电阻率随着衬底温度的升高先减小后增大,当衬底温度为100℃时,薄膜的最低电阻率为3.18×10-3Ω.cm。制备的薄膜可见光范围内透过率均在85%以上。
杨小飞方亮彭丽萍黄秋柳周科孔春阳
关键词:光电性能透明导电膜
直流磁控溅射制备P型透明导电Ca掺杂SrCu2O2薄膜光电性能研究
利用固相反应法制备了 Ca 掺杂 SrCuO多晶陶瓷靶(SrCaCuO),并采用直流磁控溅射法在 Si 和玻璃衬底上制备了 Ca 掺杂 SrCuO薄膜。通过 X 射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见双...
黄秋柳方亮
关键词:透明导电膜直流磁控溅射
文献传递
基于纳米棒阵列的染料敏化太阳能电池(DSSCs)的制备与性能研究
近年来,染料敏化太阳能电池(DSSCs)的研究已经取得了很大的进展,光电转换效率已超过10/%。二氧化钛因其资源丰富、安全无毒、化学性质稳定等优点,是目前国内外研究最为广泛的DSSCs光阳极材料。纳米颗粒作为DSSCs的...
黄秋柳
关键词:ZNO纳米棒阵列染料敏化太阳能电池电流-电压特性光电转换效率
文献传递
一种二维混沌加密彩色图像自适应水印算法被引量:2
2010年
数字水印技术可以有效地保护数字产品的版权,维护数据安全。现有的数字水印方法大多数针对灰度图像,而较少研究彩色图像。但是与灰度图像水印相比,彩色图像水印含有更多的信息。因此,文中提出了一种二维混沌加密的彩色图像自适应水印算法。经过二维logistic混沌迭代生成加密水印。在水印嵌人过程中,把彩色图像亮度分量分成互不重叠的图像块,用分数盒维数分析各块的特征,提取特征块和次特征块,对它们分别进行一级小波分解,先将水印以不同强度自适应地嵌入到特征块的小波域低频子图中,在保证隐蔽性的前提下,再次将水印以不同强度自适应地嵌入到次特征块的小波域低频子图中。实验结果表明,该算法对JPEG压缩、加噪、剪切、滤波等具有较强的稳健性。
黄春杨龚劬黄秋柳
关键词:数字水印彩色图像
衬底温度对Sn掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的影响
2012年
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0.5%(原子分数)的ZnO∶Sn(TZO)薄膜,研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能。研究发现,TZO薄膜沿着C轴择优生长,在400℃时结晶度最好,最低电阻率为2.619×10-2Ω·cm,在可见光范围内具有较好的透光率。
谌夏方亮吴芳阮海波魏文猴黄秋柳
关键词:射频磁控溅射光学性质电学性质
磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO_2气敏特性分析被引量:5
2009年
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高达16,表明ZnO∶In薄膜具有检测较低体积分数NO2的能力。
方亮彭丽萍杨小飞黄秋柳周科吴芳刘高斌马勇
关键词:氧化锌薄膜磁控溅射二氧化氮
射频磁控溅射制备的ZnMgO薄膜结构和光学性能被引量:3
2010年
采用射频磁控溅射法,在石英衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.00~0.16)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和光致发光(PL)光谱等分析了薄膜的结构、形貌和光学特性。结果表明:当x≤0.10时薄膜保持六角纤锌矿结构,而x=0.16时已出现MgO立方相;所有薄膜晶粒大小均匀,在100~150 nm之间;透光率在80%以上;薄膜带隙Eg与Mg含量呈线性关系;薄膜PL谱由较弱的紫外发光峰和较强的可见发光带组成,随Mg含量的增加紫外发光峰蓝移。
黄秋柳方亮郭北斗阮海波吴芳孔春阳
关键词:ZNMGOZNO晶体结构光学性能磁控溅射
In掺杂和退火对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构和光电性质的影响被引量:7
2010年
用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备出ZnO和In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜,研究了In的掺杂和退火对薄膜的结构和光电性质的影响。所制备的薄膜为纤锌矿结构的ZnO相,In的掺杂有利于ZnO薄膜的c轴择优生长,并且使其表面更加致密平整,退火提高了薄膜的结晶行为,但使得薄膜的表面有部分团聚形成。由于In3+替代了Zn2+,提供了一个多余的电子,ZnO薄膜的电阻率从28.9Ω.cm降低到4.3×10-3Ω.cm。由于载流子浓度的增加和晶格尺寸的拉长,In的掺杂使得ZnO薄膜的禁带宽度增加;空气中退火后薄膜的载流子浓度降低和晶格尺寸的减小,使得禁带宽度降低。ZnO薄膜在可见光范围的透光率在90%以上,受In的掺杂和退火的影响不大。室温下用325 nm的激发光源测试了样品的光致发光(PL)谱,发现In的掺杂对薄膜的PL谱影响不大,而退火后的ZnO薄膜在446 nm处的蓝光发射明显增强,更适合于作为蓝色发光器件。
彭丽萍方亮杨小飞周科黄秋柳吴芳阮海波
关键词:透明导电薄膜磁控溅射光电性能
CuAlO_2热电性能的研究进展被引量:5
2009年
p型透明导电氧化物CuAlO2具有超晶格层状结构,显示出非常好的热电性能,在热电转换领域可望有广阔的应用前景。本文简要介绍了CuAlO2的结构和能带特点,从制备过程、微观结构、退火条件和掺杂方式等方面阐述各因素对CuAlO2热电性能的影响,并讨论了提高其热电性能的可能途径。
方亮黄秋柳彭丽萍吴芳
关键词:功率因子热电性能
透明导电ZnO:Sn薄膜光学和电学性能的研究进展被引量:1
2012年
纯ZnO电阻率高,电学性能不稳定,通过掺杂其他元素提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。文章从制备方法、掺杂浓度和退火等方面综述了Sn掺杂ZnO(ZnO:Sn)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:Sn薄膜电阻率和提高透光率的有效途径。
谌夏方亮吴芳阮海波魏文猴黄秋柳
关键词:宽禁带半导体材料光学性质电学性质
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