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方亮: 作品数：157 被引量：365H指数：9; 供职机构：重庆大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金重庆市科技攻关计划重庆市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

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ZnO上欧姆接触的研究进展: 为制备高性能的 ZnO 基器件如 uv 光发射器/ 探测器、场效应晶体管,在 ZnO 上形成优良的金属电极是十分必要的．回顾了近年来 ZnO 上制备欧姆接触的新进展,对在 n 型 ZnO 上制备欧姆接触的 Al,Al/P...; 董建新方亮张淑芳彭丽萍张文婷高岭; 关键词：ZNO 欧姆接触肖特基势垒透明电极; 文献传递

用改良静滴法测量液态 Ni-W 二元合金的密度(英文)被引量：6: 2004年; 为了给研究合金在凝固过程中发生收缩、迁移现象和偏析提供科学依据,我们用改良静滴法对钨浓度为 0 到 15%的液态Ni-W 二元合金的密度进行了测量。结果表明:Ni-W 二元合金的液态密度随温度的增加而减少,但随合金中钨浓度的增加而增加;液态 Ni-W 二元合金的摩尔体积随温度和合金中钨浓度的增加而增加。金属钨在 Ni-W 二元合金中的偏摩尔体积约为(10.80–1.35×10–3T)×10-6m3·mol-1。; 方亮肖锋陶再南; 关键词：摩尔体积钨

CVD金刚石膜的压阻及其温度特性: 2003年; 在Fuchs Sondheimer(F S)薄膜理论的基础上,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,求出了P 型金刚石膜的电导率。在价带分裂模型下得到了压阻的计算公式,计算了微应力作用下金刚石膜的压阻,压阻和应力的变化(Δε)有比较好的线性关系,张应力情况下压阻大于零,压应力情况下压阻小于零。从理论上给出了压阻和温度的关系,计算了压阻随温度的变化,压阻随着温度的上升而单调减小。; 孔春阳王万录廖克俊马勇方亮; 关键词：金刚石薄膜压阻 CVD 温度特性半导体材料

铝合金上制备Ni-Co-P/Si3N4镀层的化学复合镀方法: 一种铝合金上制备Ni-Co-P/Si3N4镀层的化学复合镀方法，包括粉末前处理、脱脂、弱碱腐蚀、除垢、沉锌、褪锌、二次沉锌、化学镀膜；其特征是化学镀液由主盐硫酸镍6-28g/L...; 方亮胡佳李赟唐安琼殷波; 文献传递

大功率LED灯具散热用二元混合纳米导热硅脂及其制备方法: 一种大功率LED灯具散热用二元混合纳米导热硅脂及其制备方法。它是以甲基硅油作为基底，加入一定组份的高导热微米粉体或化合物粉体、纳米金属粉体作为导热填料，并使用一定的表面活性剂，经过一定的工艺流程合成的二元混合纳米导热硅脂...; 方亮钟前刚何建胡佳李赟; 文献传递

30CrMnMoTi高温锰系磷化膜形成过程研究: 对30CrMnMoTi 钢进行了高温锰系磷化处理,利用扫描电镜观察了磷化膜的形貌随磷化时间的变化过程,并对磷化机理进行了初步探讨。研究表明:磷化过程分为基体的腐蚀、磷化晶核的产生和长大、磷化膜的增厚3个阶段;磷化的初始阶...; 张文婷方亮郭培赵兴强金雷李廷先; 关键词：磷化; 文献传递

Ag-N共掺p型ZnO的第一性原理研究被引量：4: 2013年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag-N共掺杂ZnO体系以及间隙N和间隙H掺杂p型ZnO:(Ag,N)体系的缺陷形成能和离化能进行了研究.结果表明,在AgZn和NO所形成的众多受主复合体中,AgZn-NO受主对不仅具有较低的缺陷形成能同时其离化能也相对较小,因此,AgZn-NO受主对的形成是Ag-N共掺ZnO体系实现p型导电的主要原因.研究发现,当ZnO:(Ag,N)体系有额外间隙N原子存在时,AgZn-NO受主对容易与Ni形成AgZn-(N2)O施主型缺陷,该施主缺陷的形成降低了Ag-N共掺ZnO的掺杂效率因而不利于p型导电.当间隙H引入到ZnO:(Ag,N)体系时,Hi易与AgZn-NO受主对形成受主-施主-受主复合结构(AgZn-Hi-NO),此复合体的形成不仅提高了AgZn-NO受主对在ZnO中的固溶度,同时还能使其受主能级变得更浅而有利于p型导电.因此,H辅助Ag-N共掺ZnO可能是一种有效的p型掺杂手段.; 李万俊方亮秦国平阮海波孔春阳郑继卞萍徐庆吴芳; 关键词：P型ZNO 第一性原理

MXenes材料吸附核素离子性能的优化方法及MXenes吸附剂: 本发明公开了一种MXenes材料吸附核素离子性能的优化方法及MXenes吸附剂，该优化方法包括：制作MXenes溶液；对所得MXenes溶液进行碱化处理，调节使MXenes溶液中的羟基官能团(‑OH)含量占其溶质质量的5...; 方亮王红伟吴芳任显亮刘高斌张淑芳刘丹

直流磁控溅射制备P型透明导电Ca掺杂SrCu2O2薄膜光电性能研究: 利用固相反应法制备了 Ca 掺杂 SrCuO多晶陶瓷靶(SrCaCuO),并采用直流磁控溅射法在 Si 和玻璃衬底上制备了 Ca 掺杂 SrCuO薄膜。通过 X 射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见双...; 黄秋柳方亮; 关键词：透明导电膜直流磁控溅射; 文献传递

退火温度对N^+注入Zno:Mn薄膜结构及室温铁磁性的影响: 2012年; 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了ZnO:Mn薄膜,结合N^+注入获得Mn-N共掺ZnO薄膜,进而研究了退火温度对其结构及室温铁磁性的影响.结果表明,退火后ZnO:(Mn,N)薄膜中Mn^(2+)和N^(3-)均处于ZnO晶格位,没有杂质相生成.退火温度的升高有助于修复N^+注入引起的晶格损伤,同时也会让N逸出薄膜,导致受主(No)浓度降低.室温铁磁性存在于ZnO:(Mn,N)薄膜中,其强弱受No浓度的影响,铁磁性起源可采用束缚磁极化子模型进行解释.; 杨天勇孔春阳阮海波秦国平李万俊梁薇薇孟祥丹赵永红方亮崔玉亭; 关键词：离子注入晶体结构室温铁磁性