刘高斌
- 作品数：57 被引量：219H指数：8
- 供职机构：重庆大学更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金重庆市科技攻关计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
- 本发明公开了一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其工艺步骤为：1)在P型GaN上以物理气相沉积方式，沉积第一导电层；第一导电层厚度范围2到100埃；2)在第一导电层上以物理气相沉积方式，沉积CdIn<Sub>2</...
- 方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
- 文献传递
- TiO_2-WO_3复合薄膜型气敏传感器性质研究被引量：4
- 2007年
- 二氧化钛和三氧化钨是具有重要功能的无机n型半导体材料,常用来制备气敏传感器。本文利用电子束蒸发制备了TiO2-WO3复合氧化物薄膜,在500℃下退火2 h。通过SEM和XRD观察了该薄膜的形貌特性并进行了气敏测试。实验表明,该薄膜对酒精、丙酮和二氧化硫气体具有较强的敏感性。本文还研究了温度、复合浓度和气体浓度对薄膜气体传感能力的影响。
- 冯庆王新强刘高斌王万录
- 关键词：气敏传感器WO3
- 镍粒子在单壁碳纳米管生成中的催化机制被引量：2
- 2002年
- 用CVD法制备单壁碳纳米管 ,一般加入镍金属颗粒作为催化剂。由于镍金属颗粒不同晶体表面对碳原子的吸附具有不同的活性 ,在制备单壁碳纳米管时 ,导致镍颗粒 (液态 )吸附的碳原子在其表面由活性小的晶面活性大的晶面扩散并沉积 ,结果围绕镍金属颗粒形成空腔 ,单壁碳纳米管得以生成。在单壁碳纳米管生长过程中 ,镍原子作为替位式原子 ,总是处在碳纳米管六角网络的最外端 ,起着缺陷稳定剂的并促进其生成。笔者阐述了镍金属颗粒催化剂的催化机制 ,并对单壁碳纳米管产物的形貌作了合理解释。
- 崔玉亭王万录廖克俊刘高斌赵作峰
- 关键词：CVD单壁碳纳米管
- 一种用于制冷的新型太阳能电池——CdS/CdTe被引量：1
- 2002年
- CdS CdTe多晶薄膜电池是一种利用CdS的优良窗口效应和CdTe良好的光电转换而做成的一种层叠的异质结薄膜太阳电池 ,是适用于制冷、新型、高效率、低成本的太阳能电池 ,具有低缺陷、能隙大、稳定性好的特点 ,并且制作工艺简单、经济 ,易于大面积沉积 ,而且还具有环保价值。综述了CdS CdTe多晶薄膜太阳能电池的特性及它的发展 。
- 刘高斌冯庆刘亚静王万录
- 关键词：制冷多晶薄膜硫化镉碲化镉生产工艺
- TiO_2的光催化机理及在制冷设备中的消毒、杀菌作用被引量：28
- 2002年
- TiO2 利用光催化反应 ,能产生一些具有强氧化性的小尺寸离子 ,运用于制冷设备中可以消毒、杀菌。文中介绍了光催化机理 ,消毒、杀灭细菌的作用以及提高TiO2 光催化效率的途径 ,提出TiO2
- 冯庆刘高斌王万录
- 关键词：制冷设备TIO2光催化消毒
- Mg掺杂CuAlO_2电子结构的第一性原理研究被引量：5
- 2010年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了CuAlO_2晶体电子结构以及替位Mg杂质的特性.结果表明,Mg替代Al原子时形成受主杂质能级,而替代Cu原子时形成施主杂质能级;同时也计算了它们的形成能,发现前者是吸热反应,而后者是放热反应.另外,比较Mg替代Al与Mg替代Cu掺杂前后计算结果,发现前者费米能级变化不是很明显;而后者掺杂后费米能级明显向导带底移动.研究表明掺杂可改变CuAlO_2的导电类型和电导强弱,此结果对实验具有很好的参考价值.
- 何阿玲王新强刘高斌冯庆杨媛媛
- 关键词：电子结构形成能
- CdTe/CdS异质结特性被引量：7
- 2003年
- 从理论上对CdTe/CdS太阳电池CdS/CdTe异质结的特性进行了研究和讨论 ,结果表明可以简单利用改变CdTe、CdS两种半导体材料的掺杂浓度来改变CdS/CdTe异质结的能带结构。针对不同的能带结构采用了不同的物理模型 ,得到的CdS/CdTe异质结伏安特性曲线有一折点 ,且折点位置随异质结能带结构的变化而变化。
- 郭江王万录刘高斌冯良桓
- 关键词：太阳电池伏安特性
- 不同方法测量铜薄膜厚度的比较被引量：4
- 2018年
- 利用磁致溅射方法在玻璃基片上沉积不同厚度的铜膜。利用台阶仪、反射光谱法、四探针电阻法分别测量铜薄膜的形状膜厚、光学膜厚、电阻膜厚。总结了三种方法的测量精度、测量范围和局限性。
- 段青松刘高斌韩忠
- 关键词：铜薄膜
- P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
- 本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极，它通过采用CIO透明导电薄膜结构，使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15％以上，可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率，...
- 方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
- 文献传递
- 磁控溅射制备In掺杂ZnO薄膜及NO_2气敏特性分析被引量：5
- 2009年
- 利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功制备了In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)的研究结果显示所制备的ZnO∶In为纤锌矿的多晶薄膜,具有高度C轴择优取向。气敏研究结果表明ZnO∶In薄膜对NO2气体有较强的敏感性,最佳工作温度为273℃,其敏感度与薄膜的厚度和NO2气体的体积分数有关。ZnO∶In薄膜对较高体积分数的NO2气体的灵敏度较高,而薄膜比厚膜的灵敏度高,厚度为90 nm的薄膜在273℃时对体积分数为2×10-5的NO2气体的敏感度高达16,表明ZnO∶In薄膜具有检测较低体积分数NO2的能力。
- 方亮彭丽萍杨小飞黄秋柳周科吴芳刘高斌马勇
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射二氧化氮
