郎颖
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省高等教育教学改革工程项目博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 单根ZnO纳米线气敏及光电性质的研究
- 一维ZnO纳米材料在纳米电子器件、光电子器件、纳米传感器等领域表现出巨大的应用潜力，使得其制备和应用的研究成为国际热点。由于表面效应，ZnO纳米线的导电性质受环境气氛、温度及光辐射的影响显著。因此，其在气敏传感器和紫外光...
- 郎颖
- 关键词：ZNO纳米材料光电性质气敏机理微电极
- 文献传递
- 单根ZnO纳米线半导体器件的制备及湿敏特性研究被引量：1
- 2010年
- 利用模板法制备了单根ZnO纳米线半导体器件,得到了具有欧姆接触的电极,对器件进行了湿敏测试,通过测得的I-V曲线及响应恢复特性曲线剖析其敏感机理.
- 董照月郎颖姜威侯洪涛
- 关键词：ZNO敏感元件
- InAlO_3(ZnO)_(15)超晶格纳米串的合成及其电学性质被引量：5
- 2012年
- 通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80～150 nm,长度约为7～20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6～3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。
- 陈婷婷王广宁黄东亮郎颖张锷
- 关键词：化学气相沉积法电学性质
- In掺杂ZnO纳米带电学性质的研究
- 2012年
- 利用化学气相沉积法成功合成了In掺杂ZnO纳米带.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪对样品进行表征.利用微栅模板法制备欧姆接触的光电器件,研究了器件的伏安特性曲线及紫外光敏特性.结果表明,In掺杂ZnO纳米带的导电能力远远高于纯ZnO纳米带,电阻仅为纯ZnO纳米带的1/50,但是其光敏特性不及纯ZnO纳米带,开关比仅为纯ZnO纳米带的1/20.
- 潘思明高红郎颖李凯唐欣月顾海佳
- 关键词：伏安特性光响应
- In,Al共掺杂ZnO纳米串光电探测器的组装与研究被引量：2
- 2012年
- 用化学气相沉积法合成了高密度的In,A1共掺杂ZnO纳米串,用合成出的纳米串组装成了光电探测器.纳米串为六角纤锌矿结构,平均长度大约为5μm.研究了光电导的机制以及光电探测器的光电特性,包括在暗环境及紫外照射下的伏安特性、光电响应率和光电响应时间.结果表明,器件存在内部增益机制,光响应时间小于0.5 s,衰减时间约为23 s,可用于光电探测.
- 袁泽高红徐玲玲陈婷婷郎颖
- 关键词：光电探测器件化学气相沉积法
- 温度对单根氧化锌纳米线真空传感器的影响
- 2012年
- 通过化学气相沉积方法(CVD)制备了ZnO纳米线,并且利用微栅电极法制备了单根ZnO纳米线真空传感器.ZnO纳米线的电阻率随真空度的提高而降低,在p=10 Pa时,室温情况下的电阻约为高温情况下(T=325℃)的1000倍.而在p=1×105Pa时,室温情况的电阻是高温情况下的10倍.这种巨大变化主要是由于真空度迅速的升高,吸附在纳米线的表面的氧负离子进行了脱附的作用之后,使得耗尽层厚度降低,纳米线内部可参与导电的电子数增多,此时温度对纳米线的影响作用才会很大,导致纳米线电阻率迅速降低.
- 王广宁郎颖姜威陈婷婷张伟光
- 关键词：I-V特性
