姜威
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目黑龙江省高等教育教学改革工程项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 单根ZnO纳米线半导体器件的制备及湿敏特性研究被引量：1
- 2010年
- 利用模板法制备了单根ZnO纳米线半导体器件,得到了具有欧姆接触的电极,对器件进行了湿敏测试,通过测得的I-V曲线及响应恢复特性曲线剖析其敏感机理.
- 董照月郎颖姜威侯洪涛
- 关键词：ZNO敏感元件
- 铝掺杂对ZnO纳米线结构和光学性质的影响
- 2010年
- 利用化学气相沉积方法成功地合成了不同Al掺杂浓度的ZnO纳米线.从场发射扫描电子显微镜可以看出纳米线的直径约为100 nm.X射线衍射结果表明主要的衍射峰都与ZnO的晶面对应,为纤锌矿结构.当掺杂浓度达到2.0 at%时,在背散射拉曼光谱中观察到由于Al掺杂而引起的640 cm-1处的峰.光致发光谱表明,随着掺杂浓度的增加,紫外与可见发光的强度比值逐渐变小.
- 魏平高红姜威卢会清张春志
- 关键词：掺杂光致发光拉曼光谱
- ZnO纳米线阵列的生长机制被引量：1
- 2009年
- 通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0.3 g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、X射线图谱和X射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿(001)方向生长.提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制.
- 安春霞姜威魏平
- 关键词：ZNO纳米线阵列化学气相沉积
- 单根ZnO纳米线光电性质的研究
- 一维纳米材料是目前纳米材料研究中最活跃的领域之一,ZnO纳米线具有的紫外发光性能、表面极化性能、高的比表面积、热稳定性及高的化学稳定性等,使其在制作纳米光电器件等领域表现出巨大的应用潜力。 本文采用微栅模板法制备针对单根...
- 姜威
- 关键词：ZNO纳米线光电性质场效应管
- 文献传递
- 温度对单根氧化锌纳米线真空传感器的影响
- 2012年
- 通过化学气相沉积方法(CVD)制备了ZnO纳米线,并且利用微栅电极法制备了单根ZnO纳米线真空传感器.ZnO纳米线的电阻率随真空度的提高而降低,在p=10 Pa时,室温情况下的电阻约为高温情况下(T=325℃)的1000倍.而在p=1×105Pa时,室温情况的电阻是高温情况下的10倍.这种巨大变化主要是由于真空度迅速的升高,吸附在纳米线的表面的氧负离子进行了脱附的作用之后,使得耗尽层厚度降低,纳米线内部可参与导电的电子数增多,此时温度对纳米线的影响作用才会很大,导致纳米线电阻率迅速降低.
- 王广宁郎颖姜威陈婷婷张伟光
- 关键词：I-V特性
