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作者

  • 2篇黄东亮
  • 1篇陈婷婷
  • 1篇张喜田
  • 1篇张锷
  • 1篇郎颖
  • 1篇王广宁
  • 1篇张佳音

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
InAlO_3(ZnO)_(15)超晶格纳米串的合成及其电学性质被引量:5
2012年
通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80~150 nm,长度约为7~20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6~3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。
陈婷婷王广宁黄东亮郎颖张锷
关键词:化学气相沉积法电学性质
InMO3(ZnO)n(M=Ga,Al,In)纳米材料的制备、电学及光致发光性质
张喜田武立立张佳音黄东亮牛宝洁
关键词:超晶格光致发光
共1页<1>
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