朱宝仁
- 作品数：7 被引量：12H指数：3
- 供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 1.55μm大光腔激光器被引量：3
- 1992年
- 高功率1.55μm激光器长期以来一直为人们所重视和追求.本文通过合理设计,采用适宜的生长技术,首次成功地制备了大光腔结构,从而实现了脉冲输出功率高达2W以上的激光器.器件还具有阈值电流低(宽接触型结构的J_(th)≤2.7kA/cm^2),温度稳定性高(T_0≈130K)的特点,同时具有良好的光谱模式,是这一波段的理想光源.
- 钟景昌朱宝仁黎荣晖赵英杰
- 关键词：半导体激光器大光腔
- 高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器被引量：2
- 1997年
- 介绍了研究分别限制结构的（ＳＣＨ）ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术，基于量子阱（ＱＷ）结构的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ激光器，可用短时间液相外延（ＬＰＥ）技术制造。在（１００）ＧａＡｓ衬底上制成的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ分别限制结构的激光器，主要参数如下：发射波长λ＝８０８ｎｍ，阈值电流密度Ｊ＝３００Ａ／ｃｍ２，对于条宽ｗ＝１００μｍ的激光器，连续功率为１～２Ｗ。对制成的激光器，进行连续１０００ｈ的实际寿命试验。
- 朱宝仁张兴德薄报学张宝顺杨忠和
- 关键词：半导体激光器高功率分别限制结构
- 1.3微米铟镓砷磷大光腔半导体激光器
- 1989年
- 本文介绍了我们研制的1.3微米波长铟镓砷磷大光腔结构半导体激光器的制作及其部分主要光电特性。该器件由于采用大光腔结构,脉冲输出峰值功率大于5瓦,阈值电流密度低于2700A/cm^2工作寿命大于1000小时。
- 朱宝仁黎荣晖钟景昌
- 关键词：激光器半导体光腔
- InGaAsP/GaAs单量子阱SCH半导体激光器的液相外延被引量：5
- 1998年
- 利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大连续输出功率达到２．１Ｗ。
- 薄报学朱宝仁张宝顺高欣任大翠张兴德
- 关键词：液相外延半导体激光器激光器结构
- 高功率无铝半导体激光器被引量：5
- 1999年
- 介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到
- 朱宝仁张宝顺薄报学张兴德
- 关键词：无铝高功率半导体激光器SQWSCH
- 列阵半导体激光器的噪声
- 1993年
- 重点报道列阵GaAs-AlGaAs激光器相对强度噪声的测量结果,并和单元器件作了比较.实验测量包括相对强度噪声和驱动电流、调制频率以及温度的关系,并验证了在这些情况下相对强度噪声在激光器处于阈值时具有最大值的理论予言.
- 钟景昌黎荣晖朱宝仁赵英杰
- 关键词：半导体激光器列阵噪声
- 外延技术在半导体激光器中的应用
- 1998年
- 本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面所取得的一些进展，并比较了国内外的水平差距。
- 刘国军张千勇杨晗夏伟张兴德薄报学朱宝仁寻立春李学谦张宝顺王玲王玉霞
- 关键词：高功率半导体激光器LPECVDMBE
