钟景昌
- 作品数：55 被引量：115H指数：7
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学兵器科学与技术自动化与计算机技术更多>>
- 半导体激光器温度特性自动测试装置被引量：1
- 2007年
- 温度是影响半导体激光器特性的重要因素,对半导体激光器温度特性测试有重要的意义。本装置抛开传统的恒温测量方法,采用自动改变温度,并在不同温度下记录激光器的特性参数的方法测试半导体激光器的温度特性。在实验中得到良好的效果,给实验过程带来很大的方便。
- 马建立钟景昌郝永芹赵英杰乔忠良李海军
- 关键词：半导体激光器温度特性
- Nd∶YAG晶体生长过程中熔体液流速度场的数值模拟被引量：6
- 2004年
- 采用有限差分法对使用Cz(Czochralski)法生长Nd∶YAG激光晶体过程中熔体中的液流速度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd∶YAG晶体生长系统的数学模型 ,然后对上述数学模型进行无量纲化处理 ,最后给出相应的边界条件 ,使用有限差分法求解上述方程。应用上述方法编制仿真程序 ,仿真了改变工艺条件后熔体中液流速度场的变化情况 ,分析了各种工艺条件对液流速度场变化的影响。
- 苏伟钟景昌张丽波李林赵英杰岑学员
- 关键词：晶体生长YAG晶体速度场数值模拟有限差分法有限差分法
- 一种含双反射带半导体分布布拉格反射镜的光泵浦垂直外腔面发射激光器
- 本发明提供了一种含双反射带半导体分布布拉格反射镜的光泵浦垂直外腔面发射激光器，由顺次连接的均为泵浦光源(1)、外腔反射镜(2)、增透膜(3)、窗口层(4)、有源多量子阱增益区(5)、双反射带半导体布拉格反射镜(6)；所述...
- 晏长岭邓昀冯源郝永芹田春雨贾霄赵英杰钟景昌
- 文献传递
- 垂直腔面发射激光器中氧化速率规律的研究被引量：1
- 2008年
- 本文在不同条件下进行了选择性氧化实验,从中获得被氧化样品的微观结构图片和不同氧化深度处的各组分含量.由于氧化速率主要受扩散控制的影响,因而本研究运用扩散动力学方法对实验结果进行分析.所推导出氧化规律的数学拟合曲线与实验所得数据基本吻合,从而得出垂直腔面发射激光器氧化剂浓度随氧化深度的增加呈现指数衰减的规律.
- 冯源钟景昌郝永芹赵英杰侯立峰么艳萍
- 关键词：垂直腔面发射激光器氧化速率
- 垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究
- 2005年
- 在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制。分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98 Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422 ℃,氧化载气的气体流量为1.5 L/min,氧化速率为0.6μm/min。用在此最佳氧化条件下氧化的外延片制成VCSEL器件,室温下其阈值电流大约为1.8 mA,最大输出功率为7.96 mW。
- 谢浩锐钟景昌赵英杰王晓华郝永芹刘春玲姜晓光
- 关键词：垂直腔面发射激光器布拉格反射镜氧化物限制氧化速率
- 非圆环形腔半导体激光器
- 本发明提供了一种非圆环形腔半导体激光器，其采用非圆环形腔。由顺次连列的均为非圆环形的上电极(8)、上波导层(9)、有源增益区(10)、下波导层(11)、衬底(12)和下电极(13)构成；所述的非圆环形腔半导体激光器的下电...
- 晏长岭邓昀冯源钟景昌
- 文献传递
- 化学束外延及其在半导体材料与器件中的应用被引量：1
- 1990年
- 本文介绍了薄膜晶体生长的最新技术——化学束外延(CBE)。通过与分子束外延(MBE)和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术的比较,说明了这一新技术的基本概念、生长动力学以及在半导体材料和激光器件方面的应用。
- 钟景昌
- 关键词：化学束外延生长动力学半导体材料半导体器件
- 808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究被引量：10
- 2006年
- 从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测得其特征温度T0为325K·激射波长随温度的漂移dλ/dT为0.44nm/℃·其芯片的热阻为3.33℃/W·
- 张永明钟景昌路国光秦莉赵英杰郝永芹姜晓光
- 关键词：单量子阱激光器NM
- 半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)的分子束外延生长被引量：5
- 2001年
- 用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为 85 0 nm.由实验表明 ,19个周期的反射镜获得了高达 99%以上的高反射率 .与此同时 ,采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成 15 μm× 15 μm的正方形电流注入区 ,以此测定 P型反射镜的串联电阻 ,克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点 ,实验得出此 P型反射镜的串联电阻仅为 5 0 Ω 左右 .在生长过程中 ,发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中 ,生长这种半导体 /超晶格反射镜相对其他半导体 /半导体反射镜要节省很多外延生长时间 ,因此较适合应用于多层结构的光电器件中 .
- 晏长岭赵英杰钟景昌
- 关键词：分布布拉格反射镜半导体超晶格分子束外延
- 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
- 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布...
- 赵英杰钟景昌晏长岭李林郝永芹李轶华苏伟姜晓光
- 文献传递
