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张兴德

作品数：16 被引量：20H指数：3
供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信

主题

  • 14篇激光
  • 14篇激光器
  • 10篇半导体
  • 10篇半导体激光
  • 10篇半导体激光器
  • 6篇功率
  • 6篇高功率
  • 3篇功率半导体
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇单量子阱
  • 2篇液相外延
  • 2篇异质结
  • 2篇阈值电流
  • 2篇阈值电流密度
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇分别限制结构
  • 2篇高功率半导体...
  • 2篇LPE
  • 2篇MBE生长

机构

  • 12篇长春光学精密...
  • 3篇长春理工大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 16篇张兴德
  • 8篇薄报学
  • 8篇高欣
  • 6篇曲轶
  • 4篇张宝顺
  • 4篇李忠辉
  • 4篇王玲
  • 3篇李梅
  • 3篇任大翠
  • 3篇王玉霞
  • 2篇朱宝仁
  • 2篇王向武
  • 1篇刘国军
  • 1篇李辉
  • 1篇石家纬
  • 1篇王晓华
  • 1篇张千勇
  • 1篇杨海泉
  • 1篇杨进华
  • 1篇吴根柱

传媒

  • 4篇半导体光电
  • 2篇光电子．激光
  • 2篇光学学报
  • 2篇激光技术
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇发光学报
  • 1篇兵工学报
  • 1篇长春光学精密...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 3篇2001
  • 4篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1989
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
808nm无铝材料激光器可靠性筛选的实验探讨被引量：2
1999年
对８０８ ｎｍ 无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ半导体激光器进行可靠性筛选实验，给出了器件老化前后的工作特性及其变化情况；讨论器件工作特性变化甚至失效的可能原因，并给出在进行器件筛选实验时的初步判据。用工作电流的变化率来对器件的可靠性做初步的判定，认为工作电流的变化率小于１％
高欣曲轶薄报学王晓华张兴德
关键词：半导体激光器可靠性激光器
MBE生长高功率半导体激光器研究
曲轶薄报学张宝顺张兴德
关键词：MBE生长半导体激光器
文献传递
MBE生长高功率半导体激光器
1999年
对影响分子束外延（ ＭＢＥ） 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用ＭＢＥ生长出ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制单量子阱激光器（ＧＲＩＮ－ ＳＣＨ－ ＳＱＷ） 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了６０ Ｗ（ｔ＝ ２００ μｓ，ｆ＝ ５０ Ｈｚ） ，峰值波长为８０８ ．４ ｎｍ 。
曲轶高欣张宝顺薄报学张兴德
关键词：半导体激光器高功率半导体激光器分子束外延激光器阵列
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器被引量：5
1999年
研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
高欣曲轶薄报学张宝顺张兴德
关键词：半导体激光器液相外延
分别限制异质结可见光半导体激光器
1994年
研制成功高峰值功率分别限制异质结可见光半导体激光器，从理论及实验上研究了结构参数对器件性能的影响，得到了最佳的设计参数。
王向武张兴德任大翠
关键词：异质结可见光半导体激光器
分别限制异质结激光器的特性研究被引量：1
1989年
通过理论及实验研究了结构参数对分别限制异质结激光器的输出功率、阈值及束发散的影响,得到了最佳的设计参数。
王向武张兴德任大翠杨海泉
关键词：激光器结构参数
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响被引量：3
2002年
利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。
李忠辉李梅王玲高欣王玉霞张兴德
关键词：分别限制结构阈值电流密度
高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器被引量：2
1997年
介绍了研究分别限制结构的（ＳＣＨ）ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术，基于量子阱（ＱＷ）结构的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ激光器，可用短时间液相外延（ＬＰＥ）技术制造。在（１００）ＧａＡｓ衬底上制成的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ分别限制结构的激光器，主要参数如下：发射波长λ＝８０８ｎｍ，阈值电流密度Ｊ＝３００Ａ／ｃｍ２，对于条宽ｗ＝１００μｍ的激光器，连续功率为１～２Ｗ。对制成的激光器，进行连续１０００ｈ的实际寿命试验。
朱宝仁张兴德薄报学张宝顺杨忠和
关键词：半导体激光器高功率分别限制结构
改变衬底表面的晶向对非平面 LPE 生长结构的影响
1989年
改变衬底(100)面向[011]方向倾斜的角度α,可以得到不同的波导结构。
杨海泉张兴德
关键词：衬底晶体生长波导结构晶向
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
2002年
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
李忠辉王玉霞高欣李梅王玲张兴德
关键词：梯度折射率单量子阱激光器砷化镓GAAS/ALGAAS镓铝砷化合物
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