崔吾元
- 作品数：13 被引量：19H指数：3
- 供职机构：西安交通大学实验室与资产管理处更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程文化科学一般工业技术更多>>
- 硅/硅直接键合制备p^+/n^-和n^-/n^-结构被引量：1
- 1992年
- 本文采用Si/Si直接键合制备p^+/n^-、n^-/n^-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺;采用该工艺制出了p^+/n^-、n^-/n^-样片;对键合的微观结构、键合强度、杂质分布及电接触特性进行了检测。
- 林长贵崔吾元罗晋生
- 关键词：键合硅膜欧姆接触硅
- 根据已知C-V特性确定超突变结变容管设计参数的方法
- 1997年
- 本文根据新的超突变结电容电压方程，采用数值筛选方法，可方便、快速地确定出已知C－V曲线变容管的几个主要设计参数。
- 吴春瑜李森朱长纯崔吾元
- 关键词：变容管超突变结C-V特性
- ZnO纳米线阵列的量子限域效应研究
- 米电子及光电子应用领域， ZnO纳米线作为优良的一维宽带隙半导体结构在紫外发光、场致发射、传感器、太阳能电池等方面潜在的应用价值。ZnO纳米线的可控制备和特性研究对于ZnO纳米线结构或者器件应用研究极为关键。本文首先利用...
- 贺永宁张雯吴胜利张景文崔吾元朱长纯
- 关键词：氧化锌纳米线自组织生长量子限域效应
- 一种硅纳米线场效应晶体管制备方法
- 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直硅纳米线围栅场效应晶体管自上而下的制备方法。该垂直纳米线场效应晶体管包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的纳米线沟道区，沟道外是环状的栅导电层。所述纳米线沟道区上设置有源导...
- 李尊朝尤一龙李昕怡黎相孟崔吾元
- 文献传递
- ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性被引量：1
- 2008年
- 采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑。而且光致发光结果显示这种复合结构膜具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。
- 贺永宁张雯崔吾元崔万照王东朱长纯侯洵
- 氧化锌纳米结构的电化学控制制备及其光致发光性能被引量：6
- 2011年
- 利用电化学沉积法,通过调节电解液浓度、时间、温度等因素,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备了形貌不同的氧化锌(ZnO)纳米薄膜.通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、光致发光谱等测试手段对不同形貌的ZnO纳米薄膜进行了表征和研究.研究表明,在高于阈值电压的情况下氧化锌薄膜迅速生成,微观形貌主要受电解质溶液的浓度影响,随着电解质浓度的升高可分别获得胞芽状、棒状、片层状结构,结合晶体生长理论探讨了不同形貌ZnO薄膜的成因.室温光致发光谱显示片状的ZnO纳米薄膜在近带边有较强的宽化激发峰,而可见区的发光峰受到明显抑制,这一结构有望应用于光电器件、传感器等领域.
- 张雯贺永宁周成波崔吾元
- 关键词：氧化锌电化学法光致发光
- 一种新型测温器件
- 1994年
- 正温度系数温敏二极管系利用特定结构下半导体内载流子产生及其散射机构的热效应而制成的一种新颖测温器件.文中介绍了该器件的工作原理、结构、制造和主要性能特点.
- 邵志标崔吾元刘润民陈贵灿
- 关键词：温度测量
- 实验室安全专项检查后的思考及对策研究被引量：3
- 2014年
- 通过多次对我校各实验室的安全进行专项检查,尤其是对涉及辐射、化学试剂、微生物及动物等实验室进行了重点检查,归纳出理工科院校实验室存在的不安全因素。针对各种不安全因素提出解决方案和整改措施,从而提高实验室的安全管理水平。
- 梁晓菊李茹崔吾元
- 关键词：高校实验室实验室安全化学试剂危险废弃物
- 垂直硅纳米线工艺研究
- 硅纳米线工艺是制造纳米级围栅MOSFET的关键环节。研究了一种采用自上而下方案制造垂直硅纳米线的工艺技术。利用传统光刻技术，将圆形掩模图案转移到硅片表面;采用注入SF6和C4F8的感应耦合等离子体刻蚀工艺，制作垂直于衬底...
- 李尊朝尤一龙张国和张莉丽崔吾元
- 关键词：金属-氧化物-半导体器件硅纳米线光刻技术刻蚀工艺
- 热氮化SiO_2绝缘栅H^+-ISFET及其pH响应机理的探讨被引量：1
- 1989年
- 本文介绍了采用NH_3退火热氮化SiO_2薄膜为绝缘栅兼做敏感膜制作H^+-ISFET,其在pH值为2～13的范围内具有较好的线性响应,灵敏度为41.6～47.8mV/pH,典型值为45.7mV/pH.并运用双表面基模型分析了H^+-ISFET的工作机理,较为合理地解释了以SiO_2、Si_3N_4或氮化SiO_2为介质膜的H^+-ISFET的响应特性.
- 齐呜罗晋生崔吾元黄强
- 关键词：PH响应SIO2绝缘栅
- 全文增补中
