尤一龙
- 作品数：9 被引量：3H指数：2
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：陕西省科学技术研究发展计划项目国家自然科学基金西安应用材料创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 围栅MOSFET模型及工艺基础研究
- 尤一龙
- 关键词：硅纳米线
- 一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法
- 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法。该垂直围栅MOSFET器件，包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区，沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形的环状的介质层，所述槽形...
- 李尊朝尤一龙张瑞智蒋耀林
- 文献传递
- 全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型被引量：1
- 2011年
- 针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显,以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽围栅MOSFET二维模型.同时考虑耗尽电荷和自由电荷的影响,结合沟道与氧化层界面处的边界条件,求解一维泊松方程,得到一维电势分布模型,然后结合器件源漏处的边界条件求解拉普拉斯方程,最终得到全耗尽围栅MOSFET精确的二维表面势模型,并在此基础上得到了阈值电压、亚阈值斜率等电学参数的解析模型.利用Sentaurus软件对解析模型进行了验证,结果表明:该模型克服了本征模型在重掺杂情况下失效和仅考虑耗尽电荷的模型在强反型区失效的缺点,在不同沟道掺杂情况下从亚阈值区到强反型区都适用;与原有模型相比,该阈值电压模型的误差减小了45.5%.
- 刘林林李尊朝尤一龙徐进朋
- 关键词：表面势阈值电压短沟道效应
- 一种硅纳米线场效应晶体管制备方法
- 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直硅纳米线围栅场效应晶体管自上而下的制备方法。该垂直纳米线场效应晶体管包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的纳米线沟道区，沟道外是环状的栅导电层。所述纳米线沟道区上设置有源导...
- 李尊朝尤一龙李昕怡黎相孟崔吾元
- 文献传递
- 围栅金属氧化物半导体场效应管电流模型被引量：2
- 2010年
- 针对深亚微米级围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)处于堆积或反型时自由载流子对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET表面势和电流解析模型.考虑耗尽电荷和自由载流子的影响,采用逐次沟道近似法求解电势泊松方程,得到围栅MOSFET从堆积到耗尽,再到强反型的表面势模型,最后通过源漏两端的表面势得到了围栅器件从线性区到饱和区的连续电流模型,并利用器件数值仿真软件Sentaurus对表面势和电流模型进行了验证.研究结果表明,表面势在堆积区和强反型区分别趋于饱和,在耗尽区和弱反型区随栅压的增加而增加,同时漏压的增加将使得沟道夹断,此时表面势保持不变.增加掺杂浓度导致平带所需的负偏压变大,表面势增加.与现有的阈值电压模型相比,该模型的精确度提高了16%以上.
- 徐进朋尤一龙李尊朝刘林林
- 关键词：载流子表面势漏电流
- 一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型被引量：2
- 2010年
- 针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.
- 尤一龙李尊朝刘林林徐进朋
- 关键词：阈值电压表面势
- 一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法
- 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法。该垂直围栅MOSFET器件，包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区，沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形的环状的介质层，所述槽形...
- 李尊朝尤一龙张瑞智蒋耀林
- 文献传递
- 垂直硅纳米线工艺研究
- 硅纳米线工艺是制造纳米级围栅MOSFET的关键环节。研究了一种采用自上而下方案制造垂直硅纳米线的工艺技术。利用传统光刻技术，将圆形掩模图案转移到硅片表面;采用注入SF6和C4F8的感应耦合等离子体刻蚀工艺，制作垂直于衬底...
- 李尊朝尤一龙张国和张莉丽崔吾元
- 关键词：金属-氧化物-半导体器件硅纳米线光刻技术刻蚀工艺
- 一种硅纳米线场效应晶体管制备方法
- 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直硅纳米线围栅场效应晶体管自上而下的制备方法。该垂直纳米线场效应晶体管包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的纳米线沟道区，沟道外是环状的栅导电层。所述纳米线沟道区上设置有源导...
- 李尊朝尤一龙李昕怡黎相孟崔吾元
