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汤国平

作品数：11 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇势垒
  • 10篇功率
  • 10篇功率特性
  • 10篇GAN基HE...
  • 5篇低功耗
  • 5篇势垒层
  • 5篇频率特性
  • 5篇功耗
  • 5篇高速低功耗
  • 4篇导体
  • 4篇子线
  • 4篇量子
  • 4篇量子线
  • 4篇禁带
  • 4篇宽禁带
  • 4篇宽禁带半导体
  • 4篇半导体
  • 4篇材料特性
  • 2篇掩蔽层
  • 2篇离子注入

机构

  • 11篇西安电子科技...

作者

  • 11篇汤国平
  • 10篇陈伟伟
  • 10篇马晓华
  • 10篇郝跃
  • 10篇赵胜雷

年份

  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
马晓华陈伟伟汤国平郝跃赵胜雷
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选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、钝化层和保护层；缓冲层采用GaN，该缓冲层上设有按...
马晓华郝跃汤国平陈伟伟赵胜雷
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二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
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选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、钝化层和保护层；缓冲层采用GaN，该缓冲层上设有按...
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二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
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离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括：衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极...
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基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
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横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
郝跃马晓华汤国平陈伟伟赵胜雷
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离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种离子注入的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括：衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极...
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横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
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