姜乐
- 作品数：7 被引量：22H指数：2
- 供职机构：南昌大学材料科学与工程学院教育部发光材料与器件工程研究中心更多>>
- 发文基金：江西省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 多孔硅的后处理及其发光特性被引量：13
- 2006年
- 采用一种新颖而简便的方法,改善多孔硅的发光特性。该方法包括酸处理和阴极还原两步。实验证明通过对多孔硅进行酸处理,能有效提高多孔硅的发光强度;通过对多孔硅进行阴极还原处理,能明显改善多孔硅的发光稳定性,而且发光强度也得到了提高。综合酸处理和阴极还原两技术的特点,对所制备的多孔硅立即先进行酸处理,然后再对其进行阴极还原处理,结果表明该方法能较好地提高多孔硅的发光效率和发光稳定性。而且还对其发光机制进行了探讨。
- 王水凤姜乐戴丽丽元美玲唐小迅
- 关键词：多孔硅酸处理阴极还原
- 磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜被引量：1
- 2007年
- 采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系。
- 俞振南姜乐熊志华郑畅达戴江南江风益
- 关键词：ZNO磁控溅射粗糙度溅射功率
- 稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性被引量：1
- 2005年
- 测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。
- 元美玲汪庆年张晓峰王水凤姜乐
- 关键词：ND掺杂多孔硅酸处理
- 半导体芯片紫外荧光无损检测被引量：1
- 2003年
- Fe、Na、Ni等金属杂质对半导体器件芯片有严重的负面影响,往往导致器件失效,成品率下降,必须进行有效控制处理。采用紫外荧光(UVF)法可有效检测出硅晶片及半导体器件芯片(如GaP、GaAs等)的金属杂质沾污情况,还能检测金属杂质的相对沾污量,对半导体器件芯片的生产可实现实时非破坏性的检测分析。
- 王水凤曾宇昕姜乐
- 关键词：半导体芯片无损检测紫外荧光
- HNO_3处理多孔硅高效发光的研究
- 2005年
- 在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(PorousSilicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理。比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。用XPS和SEM对样片测试的结果表明:酸处理后样片表面形成Si—O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀。
- 王水凤姜乐戴丽丽王震东元美玲
- 关键词：多孔硅光致发光HNO3
- SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响被引量：5
- 2008年
- 利用等离子辅助化学气相沉积(PECVD)系统在垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了SiN钝化膜,并对长有钝化膜及未作钝化处理的LED在不同条件下进行了老化实验,首次研究了SiN钝化膜对垂直结构Si衬底GaN基蓝光LED可靠性的影响。实验发现:经过30mA、85℃、24h条件老化后,未作钝化处理的Si衬底GaN基蓝光LED的平均光衰为11.41%,而长有SiN钝化膜的LED平均光衰为6.06%,SiN钝化膜有效地改善了LED在各种老化条件下的光衰,另外,SiN钝化膜缓解了Si衬底GaN基蓝光LED老化过程中反向电压(Vr)的下降,但对老化后LED的抗静电击穿能力(ESD)没有明显的影响。
- 邱冲刘军林郑畅达姜乐江风益
- 关键词：蓝光LEDSIN钝化光衰
- 酸处理多孔硅高效发光性能被引量：1
- 2004年
- 在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(PorousSilicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理。通过荧光分光光度计测试并比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。另外,本文还对多孔硅以及HNO3处理的多孔硅的发光稳定性作了对比研究和探讨。
- 王水凤姜乐元美玲唐小迅
- 关键词：多孔硅光致发光酸处理电化学腐蚀
