王水凤
- 作品数：32 被引量：62H指数：4
- 供职机构：南昌大学理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 多孔硅光致发光的非线性光学特性被引量：1
- 1999年
- 采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ Ｐ Ｓ）， 测量了多孔硅在近红外光（８００ ｎｍ ）激发下的光致发光（ Ｐ Ｌ）谱和光致发光激发（ Ｐ Ｌ Ｅ）谱， 结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性， 并随着存放时间的延长， 在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强， 被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关， 光致发光谱的多峰结构表明多孔硅中存在多种发光中心。用量子限制／发光中心模型可以解释本实验结果。
- 任丙彦刘彩池张颖怀崔德升王水凤曾庆城
- 关键词：多孔硅发光机理非线性光学
- ＃+[29]Ｓｉ注入ＧａＡｓ晶片的Ｆｅ杂质沾污及其影响
- 王水凤洪春勇
- 关键词：砷化镓离子注入污染衬底
- 稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性
- 测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片，在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大、随退火条件的不同而改变。并对样品的发光机理作了初步...
- 王水凤曾宇昕元美玲徐飞程国安
- 关键词：稀土掺杂离子注入卢瑟福背散射
- 文献传递
- 掺Nd硅基氧化薄膜光致发光特性研究
- 2002年
- 通过对SiO2:Nd的PL谱分析,并与SiO2:La、SiO2:Ce、Si+→SiO2、C+→SiO2等的PL谱进行比较,总结出薄膜光致发光的一些特性.
- 夏秀文王水凤元美玲
- 关键词：光致发光特性稀土掺杂半导体硅钕PL谱
- MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究被引量：1
- 2002年
- 用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。
- 王水凤曾宇昕程国安徐飞
- 关键词：离子注入集成电路导电性
- 塑封高压硅堆成品管内部结构测试分析被引量：1
- 2002年
- 针对塑封高压硅堆反向特性差的问题 ,采用“显微剖析”技术和“紫外荧光无损检测”(UVF)技术 ,对样管的内部结构及原材料进行测试分析 ,并与进口样管内部结构进行比较 ,找出了国产样管不足之处 。
- 王水凤曾宇昕刘南生
- 关键词：塑封高压硅堆内部结构半导体芯片晶体管
- LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究被引量：1
- 1999年
- 介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ （以Ｆｅ 为主） 紫外荧光 （ＵＶＦ） 谱的实测数据的相关性，
- 王水凤胡力民曾宇昕曾庆城
- 关键词：发光二极管
- 半导体芯片紫外荧光无损检测被引量：1
- 2003年
- Fe、Na、Ni等金属杂质对半导体器件芯片有严重的负面影响,往往导致器件失效,成品率下降,必须进行有效控制处理。采用紫外荧光(UVF)法可有效检测出硅晶片及半导体器件芯片(如GaP、GaAs等)的金属杂质沾污情况,还能检测金属杂质的相对沾污量,对半导体器件芯片的生产可实现实时非破坏性的检测分析。
- 王水凤曾宇昕姜乐
- 关键词：半导体芯片无损检测紫外荧光
- 掺杂硅基氧化薄膜光致发光特性研究被引量：2
- 1999年
- 测量了用离子注入方法Ｓｉ＋ →ＳｉＯ２ ，Ｃ＋ →ＳｉＯ２ ，ＳｉＯ２ ：Ｌａ 和ＳｉＯ２ ：Ｅｒ 样品室温下的光致发光（ＰＬ） 谱和相应的光致发光激发（ＰＬＥ） 谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大。对样品的发光机理作了初步探讨。
- 王水凤王平曾宇昕徐飞
- 关键词：离子注入光致发光稀土掺杂
- 多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性
- 1997年
- 测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅（ＰＳ）薄膜红光（６００～８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ膜具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关。
- 王兼善王水凤王平曾庆城
- 关键词：多孔硅上转换荧光蓝光发射
