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陈海波

作品数：8 被引量：31H指数：4
供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金青年科技基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 4篇TA
  • 4篇磁控溅射
  • 4篇N
  • 3篇阻挡层
  • 3篇纳米
  • 2篇电路
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇热稳定
  • 2篇热稳定性
  • 2篇扩散阻挡层
  • 2篇互连
  • 2篇集成电路
  • 2篇AL
  • 2篇CU互连
  • 1篇氮分压
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻特性

机构

  • 8篇中南大学

作者

  • 8篇陈海波
  • 8篇李幼真
  • 7篇周继承
  • 3篇刘正
  • 1篇黄迪辉

传媒

  • 3篇材料导报
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
集成电路Cu互连扩散阻挡层的研究进展被引量：12
2006年
简要介绍了集成电路的发展趋势及其带来的相关问题和解决办法。综述了国内外对Cu互连扩散阻挡层的制备方法与工艺、阻挡层的选材、阻挡层薄膜的特性等最新研究的进展。评述了该领域的发展趋势及可能的影响因素。
陈海波周继承李幼真
关键词：集成电路CU互连
不同氮流量比制备纳米Ta-N薄膜及其性能被引量：2
2008年
超大规模集成电路Cu互连中的核心技术之一是制备性能优异的扩散阻挡层。本文采用直流磁控反应溅射在N2/Ar气氛中制备了不同组分比的Ta-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-N/基底复合结构,对部分样品在N2保护下进行了快速热处理(RTA),采用台阶仪、四探针测试仪、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜、X射线衍射(XRD)对薄膜形貌结构进行了表征。结果表明,随着N2流量比的增加,薄膜沉积速率下降,表面趋于平滑,Ta-N薄膜热稳定性能及阻挡性能随之提高,而电阻率则上升。氮流量比为0.3制备的厚度为100nm的Ta-N薄膜经600℃/5m in RTA后,仍可保持对Cu的有效阻挡;在更高温度下退火,Cu将穿过阻挡层与Si发生反应,导致阻挡层失效。
李幼真周继承陈海波黄迪辉刘正
关键词：CU互连氮分压
纳米Ta-Al-N薄膜的制备及其扩散阻挡特性的研究被引量：3
2007年
采用直流反应磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Ta-Al-N纳米薄膜与Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火(RTP)。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM-EDS、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征。实验结果表明,本实验条件下制得的Ta-Al-N纳米薄膜表面光滑;随着Al靶溅射功率的增加,Ta-Al-N薄膜中Al含量和方块电阻相应增大,均方根粗糙度降低,而沉积速率变化不大,且Ta-Al-N膜层对Cu扩散的阻挡能力增强。但在过高的温度下退火,导致Cu通过Ta-Al-N的晶界扩散到Ta-Al-N/Si界面并形成Cu3Si,从而引起阻挡层的失效。
周继承陈海波李幼真
关键词：反应磁控溅射
真空镀膜实验中掺Al对Ta-N薄膜性能的影响
2012年
采用磁控反应共溅射法制备了Ta-Al-N纳米薄膜及Cu/Ta-Al-N/Si结构,并在氮气保护下对薄膜进行了快速热处理,用四探针电阻测试仪、台阶仪、原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等对薄膜进行了表征。研究表明,少量Al的掺入可降低薄膜的表面粗糙度,有效提高其热稳定性和Cu扩散阻挡能力,但同时也增大了薄膜的电阻率。Al原子分数为1.7%、厚约100nm的Ta-Al-N薄膜在800℃热处理5min后仍可保持稳定和对Cu扩散的有效阻挡,其作用机制与Al填充堵塞晶界及提高薄膜的晶化温度有关。
李幼真陈海波刘正
关键词：磁控溅射热稳定性
Ta基纳米薄膜扩散阻挡特性的比较研究被引量：7
2007年
采用直流磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了Cu/Ta、Cu/Ta-N和Cu/Ta-Al-N复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品的形貌结构与特性进行了分析表征,并对N和Al的掺杂机理进行了讨论。实验结果表明,Ta、Ta-N和Ta-Al-N膜层的Cu扩散阻挡特性逐渐增强,Ta/Si界面上的反应和Cu通过多晶Ta膜扩散到Si底并形成Cu_3Si共同导致了Ta阻挡层的失效,而Cu通过Ta-N和Ta-Al-N结晶后产生的晶界扩散到Si底并形成Cu_3Si是两者失效的唯一机制。N的掺入促进了非晶薄膜的形成且有利于消除界面反应,而Al的掺入将进一步提高薄膜的结晶温度和热稳定性。
陈海波周继承李幼真
关键词：直流磁控溅射
集成电路Cu金属化中的扩散阻挡层被引量：6
2007年
阐述了集成电路Cu互连中的技术难题,重点讨论了Cu的扩散问题,综述了扩散阻挡层的研究发展进程,重点介绍了当今研究较多的难熔金属、难熔金属氮化物及其三元结构阻挡层的最新进展情况。研究表明,阻挡层的阻挡性能与制备工艺、薄膜组分及微观结构密切相关,其失效机制多为高温下阻挡层晶化所产生的晶界为Cu扩散提供了快速通道,掺入Si或其它原子的难熔金属氮化物由于其较高的晶化温度和良好的阻挡性能正成为研究热点。
李幼真周继承陈海波
关键词：扩散阻挡层热稳定性
纳米Ta基阻挡层薄膜及其扩散体系电阻特性研究被引量：6
2008年
采用直流磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了3类Ta基纳米阻挡层薄膜及其对应的Cu/barrier/Si复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯快速热退火(RTA).用四探针电阻测试仪(FPP),AFM,SEM-EDS,Alpha-step IQ台阶仪和XRD等分析测试方法对样品快速热退火前后的电阻特性和形貌结构进行了分析表征.实验结果表明,热处理过程中,凝聚、氧化和稳态效应同时出现,方块电阻的增大和下降趋势并存;而高温退火后Cu和Si发生互扩散形成的高阻相Cu3Si与更粗糙的表面形貌引起更强烈的电子散射导致了复合膜系方块电阻的急剧增加.
陈海波周继承李幼真
关键词：直流磁控溅射电阻特性
多靶磁控共溅射纳米Ta-Al-N薄膜的阻挡性能研究
2008年
采用磁控反应共溅射方法制备了纳米Ta-Al-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-Al-N薄膜,对薄膜进行了热处理。用四探针测试仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)以及台阶仪等研究了退火对薄膜结构及阻挡性能的影响。结果表明,Ta-Al-N薄膜具有优良的热稳定性,保持非晶态且能对Cu有效阻挡的温度可达800°C;同时发现在900°C退火5 min后,薄膜开始晶化,在Cu/Ta-Al-N/Si界面处生成了Cu3Si等相,表明此时Ta-Al-N薄膜阻挡层开始失效。
李幼真周继承陈海波刘正
关键词：热退火表面形貌
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