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黄迪辉

作品数：11 被引量：7H指数：2
供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
发文基金：湖南省科技计划项目国家自然科学基金青年科技基金更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 3篇电池
  • 3篇互连
  • 2篇钝化层
  • 2篇性能稳定
  • 2篇印刷
  • 2篇致密
  • 2篇溶剂
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇铜互连
  • 2篇阻挡层
  • 2篇黏附性
  • 2篇相对密度
  • 2篇模压
  • 2篇模压成型
  • 2篇静压
  • 2篇扩散阻挡层
  • 2篇硅衬底

机构

  • 11篇中南大学

作者

  • 11篇黄迪辉
  • 10篇周继承
  • 4篇巩小亮
  • 3篇赵保星
  • 2篇李绍文
  • 2篇李幼真
  • 2篇石之杰
  • 2篇郑旭强
  • 2篇荣林艳
  • 1篇陈海波
  • 1篇刘正
  • 1篇黄征宇

传媒

  • 1篇电子科技
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法
本发明公开了一种晶硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法，其特征在于，依次由疏松层TiO<Sub>2</Sub>薄膜、致密层TiO<Sub>2</Sub>薄膜和SiO<Sub>2</Sub>钝化层组成；所述的SiO<Sub...
周继承赵保星荣林艳黄迪辉
文献传递
不同氮流量比制备纳米Ta-N薄膜及其性能被引量：2
2008年
超大规模集成电路Cu互连中的核心技术之一是制备性能优异的扩散阻挡层。本文采用直流磁控反应溅射在N2/Ar气氛中制备了不同组分比的Ta-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-N/基底复合结构,对部分样品在N2保护下进行了快速热处理(RTA),采用台阶仪、四探针测试仪、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜、X射线衍射(XRD)对薄膜形貌结构进行了表征。结果表明,随着N2流量比的增加,薄膜沉积速率下降,表面趋于平滑,Ta-N薄膜热稳定性能及阻挡性能随之提高,而电阻率则上升。氮流量比为0.3制备的厚度为100nm的Ta-N薄膜经600℃/5m in RTA后,仍可保持对Cu的有效阻挡;在更高温度下退火,Cu将穿过阻挡层与Si发生反应,导致阻挡层失效。
李幼真周继承陈海波黄迪辉刘正
关键词：CU互连氮分压
一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法
本发明提供了一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法；所述的CIGS粉末为纯CuIn<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>Se<Sub>2</Sub>相，其中0＜x＜1；该CIGS靶材具有均一的CuIn...
周继承巩小亮黄迪辉
文献传递
用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺
本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具...
周继承石之杰郑旭强刘福黄迪辉
文献传递
黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法
本发明公开了一种黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法，该方法采用以有机混合溶剂或有机单一溶剂为载体，在常压下用液相回流法合成CIS粉末(CuInS<Sub>2</Sub>粉末或CuInSe<Sub>2</Sub>粉末...
周继承李绍文巩小亮黄迪辉
一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法
本发明提供了一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法；所述的CIGS粉末为纯CuIn<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>Se<Sub>2</Sub>相，其中0＜x＜1；该CIGS靶材具有均一的CuIn...
周继承巩小亮黄迪辉
文献传递
用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺
本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具...
周继承石之杰郑旭强刘福黄迪辉
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单晶硅太阳电池背场欧姆接触的改善研究被引量：5
2011年
采用磁控溅射在扩散工艺后的单晶硅片背面沉积了铝膜,对样品在600～900℃之间进行了快速热处理,利用四探针电阻测试仪、扫描电镜对热处理前后样品的电阻率、形貌等进行了表征,用半导体参数测试仪测量了样品的I-V曲线,计算了铝膜与硅片的接触电阻,并同步与印刷铝浆料样品进行了对比,研究表明,与丝网印刷工艺相比,溅射铝膜具有均匀细腻、电阻率低、接触电阻小等优点。
李幼真周继承黄迪辉赵保星
关键词：欧姆接触磁控溅射
一种晶硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法
本发明公开了一种晶硅太阳能电池双层减反射膜及其制备方法，其特征在于，依次由疏松层TiO<Sub>2</Sub>薄膜、致密层TiO<Sub>2</Sub>薄膜和SiO<Sub>2</Sub>钝化层组成；所述的SiO<Sub...
周继承赵保星荣林艳黄迪辉
文献传递
黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法
本发明公开了一种黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法，该方法采用以有机混合溶剂或有机单一溶剂为载体，在常压下用液相回流法合成CIS粉末(CuInS<Sub>2</Sub>粉末或CuInSe<Sub>2</Sub>粉末...
周继承李绍文巩小亮黄迪辉
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