杨恒青
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 半导体外延掺杂的深度分布——“修正的”余误差分布被引量：1
- 2008年
- 在制造半导体器件的外延工艺中,外延生长时通常要掺入杂质.如果杂质的扩散系数很小,杂质在外延层中的深度分布是均匀的;如果杂质的扩散系数较大,半导体在外延生长过程中,杂质还有较明显的扩散,也会扩散到衬底中去.杂质浓度随深度分布不仅和杂质的扩散系数有关,还和外延生长速度及外延生长时间有关.从理论上推导出掺杂外延生长时杂质浓度深度分布表达式——"修正的"余误差分布;并根据该表达式绘出不同扩散系数和不同外延生长条件下的杂质浓度深度分布图;讨论了由杂质浓度深度分布确定扩散系数的实验条件.
- 杨恒青宋毅锋
- 用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算被引量：2
- 2003年
- 利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响 .
- 杨恒青颜佳骅陈俭曹永明
- 关键词：硅分辨率二次离子质谱
- 双面抛光单晶硅片少子扩散长度的测量
- 1992年
- 本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求出少子扩散长度和背面表面复合速度。本文讨论了该方法的测量范围。
- 杨恒青张焕林顾春林
- 关键词：少子扩散长度硅片
- GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长
- 1990年
- 本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED强度振荡,并利用它成功地生长10个周期的GaSb/AlSb超晶格,透射电子显微镜照片显示界面平整、清晰,采用较厚的AlSb过渡层及适当的生长条件,可在半绝缘GaAs衬底上生长出质量好的GaSb外延层,其X射线双晶衍射半峰宽小于300″,未掺杂的外延层为P型,其室温载流子浓度为2.12×10^(16)cm^(-3),迁移率为664cm^2/V·s。
- 宗祥福邱绍雄杨恒青黄长河陈骏逸胡刚吴仲墀
- 关键词：GASBALSBGAAS应变层
- 晶体管发射结正向电容的测量及分析被引量：1
- 2003年
- 晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响 ,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题。文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容 ,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化。文中还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试 ,估算了晶体管的正向渡越时间的范围 ,并得到晶体管发射结中等正向偏压以下的势垒电容。
- 周正刚杨恒青
- 关键词：电容结型晶体管发射结势垒电容
- SiO2中Na及Si中B的SIMS分析
- 1998年
- ＳＩＭＳ对二氧化硅中钠离子有相当高的检测灵敏度，但其定量分析较为困难。在二氧化硅的ＳＩＭＳ图谱中，由一二氧化硅中的Ｎａ离子的计数和与“ＳｉＯ２”计数和之比正比于二氧化硅中的Ｎａ离子的平均体密度，因此中采用做过ＢＴ（温度偏压）实验的ＭＯＳ电容作为“标定”。因此用ＭＯＳ电容的ＢＴ实验也仅能求出可动钠离子的面密度，因此该方法仅能半定量地对二氧化硅中的Ｎａ离子进行估算。
- 杨恒青张敏如
- 关键词：MOS电容定标SIMS
