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周正刚

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电容
  • 2篇渡越时间
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒电容
  • 2篇结型
  • 2篇结型晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇发射结
  • 2篇硅
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇应力场
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元法
  • 1篇塑性
  • 1篇残余压应力

机构

  • 4篇复旦大学

作者

  • 4篇周正刚
  • 2篇宗祥福
  • 1篇杨恒青
  • 1篇汪荣昌
  • 1篇王旭

传媒

  • 1篇复旦学报（自...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 2篇1999
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
随机负载下硅塑性行为的预测
本文对圆柱体平头刻痕器作用下使Si处于随机负载情况下的塑性行为用有限元方法进行了分析。对应力场的发展进行了模拟。结果显示主应力场的方向总是随机改变的。而残余张应力场的方向变为垂直与刻痕表面而压应力场的方向则平行与刻痕表面...
王建颖宗祥福周正刚汪荣昌翁于闵
关键词：硅
文献传递
晶体管发射结正向电容的测量和分析
该文提出将交流测量和直流测量相结合的方法来测量晶体管发射结的正向偏压电容.分析了晶体管发射结正向电容随偏压变化的测试结果,得到晶体管发射结中等正向偏压下的势垒电容.该文还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试,估算了晶体管...
周正刚
关键词：结型晶体管发射结势垒电容
文献传递
晶体管发射结正向电容的测量及分析被引量：1
2003年
晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响 ,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题。文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容 ,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化。文中还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试 ,估算了晶体管的正向渡越时间的范围 ,并得到晶体管发射结中等正向偏压以下的势垒电容。
周正刚杨恒青
关键词：电容结型晶体管发射结势垒电容
随机可变负载下硅塑性行为预测(英文)
1999年
用有限元法分析了在随机加载的圆柱形刻痕器作用下氮化铝的行为，模拟了应力场的整个扩展过程．结果显示，主应力的方向总是处于不停的随机变化之中；而完全卸载时残余张应力的方向最终将趋向于平行于刻痕表面，残余压应力平行于表面．这将易于导致材料的分层断裂；最大塑性应变区并不在整个接触面下．
宗祥福周正刚翁渝民王旭唐国安
关键词：氮化铝残余压应力有限元法应力场
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