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张倩

作品数：27 被引量：17H指数：2
供职机构：湖南大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学经济管理自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 11篇学位论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇经济管理
  • 4篇文化科学
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇政治法律
  • 1篇生物学
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇衬底
  • 4篇终端结构
  • 4篇细胞
  • 4篇就业
  • 3篇终端
  • 3篇细胞膜
  • 3篇膜融合
  • 3篇金属
  • 3篇发射区
  • 3篇胞膜
  • 3篇槽栅
  • 2篇修饰物
  • 2篇元胞
  • 2篇栅电极
  • 2篇脂质体
  • 2篇生物相容
  • 2篇生物相容性
  • 2篇疏水
  • 2篇碳化硅
  • 2篇离子注入

机构

  • 27篇湖南大学
  • 1篇湖南师范大学

作者

  • 27篇张倩
  • 11篇王俊
  • 4篇江希
  • 2篇刘要悟
  • 2篇陈圆圆
  • 2篇王雨薇

传媒

  • 1篇市场周刊·理...
  • 1篇湖南师范大学...
  • 1篇大学教育科学

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 7篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件及其制备方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件，包括形成于N型重掺杂半导体衬底之上的N型半导体漂移区；形成于N型半导体漂移区表面的P阱区和JFET区形成于P阱区表面的P型重掺杂半导体...
王俊张倩邓高强
文献传递
我国保险公估人法律制度初探
保险公估人作为一种保险中介组织,它与保险代理人、保险经纪人既有联系又有区别,一起构成了保险中介市场的三大支柱,在保险事业发展过程中发挥着举足轻重的作用.但相对于保险代理人、保险经纪人而言,中国保险公估业目前尚处于初始阶段...
张倩
关键词：保险公估人保险中介
文献传递
一种逆导型碳化硅n-GTO晶闸管及其制备方法
本发明公开了一种逆导型碳化硅n‑GTO晶闸管半导体器件，包括自下而上设置的阳极结构、漂移层结构、门极结构以及阴极结构；阳极结构包括自下而上设置的阳极金属电极、第一掺杂类型P+注入层、第一掺杂类型P缓冲层以及设置在右边的第...
王俊刘航志梁世维俞恒裕岳伟张倩杨余
文献传递
证券公司退出制度研究
证券公司退出制度是指证券公司因为各种原因注销法人资格，永远退出市场的一系列制度。自从1987年我国成立第一家证券公司到2002年鞍山证券成为第一家被责令关闭的证券公司，在这“漫长”的十五年中，即使整个证券行业严重亏损，大...
张倩
关键词：证券公司破产证券监管
文献传递
阿里巴巴平台领导与用户创业的混合型协同模式研究
随着互联网经济的发展和科技的进步以及消费者需求的日益多样化，国外许多平台领导已经意识到仅仅依靠自身的力量很难满足消费者个性化的需求，因此他们选择开放平台，利用广泛创业者的新颖创意和产品来更好地迎合市场需求，并且取得了成功...
张倩
关键词：电子商务
文献传递
现时我国女硕士研究生就业状况调查——以湖南七所大学为样本被引量：9
2010年
从就业率、就业期望、就业结果和就业满意度四个方面对湖南七所大学570名硕士生就业状况所做的调查显示:女硕士生就业率低于硕士生就业的总体水平;所学专业对男女硕士生的就业有直接影响;女硕士生在求职过程中普遍自感遭遇性别歧视;求职时在社会资本的占有和利用上女硕士生高于男生;当就业形势严峻时高学历并不会给女硕士生带来预期的高回报;许多女硕士生缺乏职业规划意识且更倾向于将研究生教育当作好婚姻的跳板。
刘要悟张倩
关键词：就业状况
一种超结型快恢复二极管器件
本发明公布了一种超结型快恢复二极管器件，自下而上包括阴极金属层、N+阴极区、N型缓冲层、P型区和阳极金属层，所述N型缓冲层和P型区之间还设置有由交替掺杂的P型柱区和N型柱区组成的超结结构。本发明改善硅基功率器件固有的通态...
王俊张倩俞恒裕梁世维刘航志江希彭子舜杨余
文献传递
一种膜融合脂质体及其应用
本发明属于医药技术领域，涉及一种磷脂双分子层内侧或磷脂双分子层外侧、或者磷脂双分子层内侧和外侧同时修饰有修饰物的膜融合脂质体及其在细胞膜修饰上的应用，所述含有疏水端基的修饰物为含有疏水端基的DNA序列、含有疏水结构的蛋白...
邢航林珉杰张倩陈圆圆
一种碳化硅功率器件复合终端结构及其制备方法
本发明公布了一种碳化硅功率器件复合终端结构，其特征在于，包括器件元胞和复合终端，所述复合终端包括斜面刻蚀工艺形成的结终端延伸结构和离子注入工艺形成的结终端延伸结构。本发明还公开一种碳化硅功率器件复合终端结构的制备方法。本...
王俊俞恒裕梁世维刘航志江希彭子舜岳伟杨余张倩
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一种SiC GTO与MESFET集成结构及其制作方法
本发明公布了一种SiC GTO与MESFET集成结构，包括：第一导电类型的衬底，位于衬底上表面的漂移区；位于漂移区上表面的第一基区；贯穿第一基区的隔离沟槽，隔离沟槽将所述第一基区分隔为第一区域和第二区域；填充在隔离沟槽内...
王俊梁世维邓雯娟王雨薇张倩
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