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王雨薇

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：湖南大学更多>>
相关领域：化学工程语言文字经济管理电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇语言文字

主题

  • 2篇门极
  • 2篇金属
  • 2篇隔离沟槽
  • 2篇GTO
  • 2篇MESFET
  • 2篇衬底
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇电参数
  • 1篇电路
  • 1篇电路参数
  • 1篇电容
  • 1篇电容特性
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层栅介质
  • 1篇续流
  • 1篇续流二极管
  • 1篇药检

机构

  • 8篇湖南大学

作者

  • 8篇王雨薇
  • 6篇王俊
  • 2篇张倩
  • 1篇张超
  • 1篇胡波

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种基于健康状态监测提升变换器可靠性的方法
本发明属于开关器件的健康管理技术领域，具体涉及一种基于健康状态监测提升变换器可靠性的方法，包括顺次连接的直流源、变换器拓扑、负载和监测装置，所述变换器拓扑包括开关器件，所述开关器件包括IGBT、SiC MOSFET和Ga...
王俊胡波贺敏敏张超柯子鹏梁世维邓高强王雨薇
文献传递
一种单片集成续流二极管的SiC MOSFET器件及其制备方法
本发明提供了一种单片集成续流二极管的SiC MOSFET器件及其制备方法。本发明通过在基本的SiC MOSFET结构上进行适当改良，在不增加工艺复杂度的基础上单片集成续流二极管，使得器件在第三象限工作的开启电压降低，反向...
王俊梁世维俞恒裕余康华王雨薇刘航志
文献传递
一种基于氮化物缓冲层的碳化硅叠层栅介质结构及其制备方法
本发明公布一种基于氮化物缓冲层的碳化硅叠层栅介质结构，其特征在于，包括碳化硅外延片，所述碳化硅外延片上表面生长或转移有氮化物缓冲层，所述氮化物缓冲层上表面生长有栅介质层。本发明提供一种基于氮化物缓冲层的碳化硅叠层栅介质结...
王雨薇王俊梁世维俞恒裕
文献传递
一种SiC GTO与MESFET集成结构及其制作方法
本发明公布了一种SiC GTO与MESFET集成结构，包括：第一导电类型的衬底，位于衬底上表面的漂移区；位于漂移区上表面的第一基区；贯穿第一基区的隔离沟槽，隔离沟槽将所述第一基区分隔为第一区域和第二区域；填充在隔离沟槽内...
王俊梁世维邓雯娟王雨薇张倩
文献传递
人民币汇率波动对制造业出口企业投资的影响研究
王雨薇
文献传递
一种SiC GTO与MESFET集成结构及其制作方法
本发明公布了一种SiC GTO与MESFET集成结构，包括：第一导电类型的衬底，位于衬底上表面的漂移区；位于漂移区上表面的第一基区；贯穿第一基区的隔离沟槽，隔离沟槽将所述第一基区分隔为第一区域和第二区域；填充在隔离沟槽内...
王俊梁世维邓雯娟王雨薇张倩
孙杨药检听证会汉英模拟法庭同传实践报告
随着体育领域的国际交流日益频繁以及中国法治建设进程的加速发展,运动员的法律纠纷案也更加频繁的出现在公众视野中。听证会作为维护体育环境公平、维护运动员权益的法律形式越来越得到重视。相应地,有关法庭场景的口译也逐渐增加,其中...
王雨薇
关键词：法庭口译翻译策略图式理论
一种基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法
本发明公布一种基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：S10、对SiC外延片表面进行标准RCA清洗；S20、将清洗好的SiC外延片放入腔室1中，通入三甲基铝烷和氨气，在T...
王雨薇余康华王俊
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