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SiC JMOS和SiC DMOS在Si/SiC混合器件单相逆变器中的应用研究被引量：3: 2019年; Si IGBT与SiC MOSFET并联组成的Si/SiC混合器件(HyS)因在功率变换器中提供了一种成本与性能的优化折衷而受到广泛关注。其中,SiC MOSFET特性直接影响Si/SiC混合器件的性能,对基于不同类型SiCMOSFET的Si/SiC混合器件的特性差异分析极为必要。该文对比分析基于新型集成结势垒肖特基二极管(JBS)的SiCMOSFET(SiCJMOS)的Si/SiC混合器件(HySJ)和基于传统平面栅SiCMOSFET的传统Si/SiC混合器件(HySD)的特性差异。对比分析2种混合器件的导通特性与开关特性,结果表明,与HySD相比,HySJ具有更低的反向导通压降,更好的反向恢复性能和更小的开通损耗。建立适用于2种混合器件单相逆变器损耗模型,对比分析2种器件在逆变器应用中的损耗差异。设计基于2种混合器件的5kW单相逆变器样机,对比应用2种混合器件的变换器损耗、效率及器件结温。实验结果表明,在轻载条件下,与HySD方案相比,HySJ可以实现最大0.5%的峰值转换效率的提升。; 李宗鉴王俊余佳俊江希沈征; 关键词：损耗模型

一种半导体结构以其制作方法: 本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：第一掺杂浓度的P+区、第二掺杂浓度的N+区以及设置在P+区和N+区之间的具有第三掺杂浓度的漂移区；其中，第一掺杂浓度和第二掺杂浓度均高于第三掺杂浓度；所述漂移区包括...; 王俊李宗鉴江希; 文献传递

一种功率器件结温在线检测系统: 本发明提供了一种功率器件结温在线检测系统，其特征在于：包括电源电路，所述电源电路分别与门极驱动电路、隔离电路、电压采集电路、电流采集电路、信号处理电路、和DSP控制器相连接，所述电源电路能够提供隔离供电；该在线检测系统依...; 王俊俞恒裕江希; 文献传递

一种超结型快恢复二极管器件: 本发明公布了一种超结型快恢复二极管器件，自下而上包括阴极金属层、N+阴极区、N型缓冲层、P型区和阳极金属层，所述N型缓冲层和P型区之间还设置有由交替掺杂的P型柱区和N型柱区组成的超结结构。本发明改善硅基功率器件固有的通态...; 王俊张倩俞恒裕梁世维刘航志江希彭子舜杨余; 文献传递

一种碳化硅器件埋层型终端结构及其制备方法: 本发明公布了一种碳化硅器件埋层型终端结构，包括器件元胞和埋层型多调制环终端，所述器件元胞包括：N+ SiC衬底；位于所述N+ SiC衬底上的P缓冲层；位于所述P缓冲层上的P‑漂移区；位于所述P‑漂移区上的N基区，在N基区...; 王俊俞恒裕梁世维刘航志江希彭子舜岳伟杨余张倩; 文献传递

一种碳化硅功率器件复合终端结构及其制备方法: 本发明公布了一种碳化硅功率器件复合终端结构，其特征在于，包括器件元胞和复合终端，所述复合终端包括斜面刻蚀工艺形成的结终端延伸结构和离子注入工艺形成的结终端延伸结构。本发明还公开一种碳化硅功率器件复合终端结构的制备方法。本...; 王俊俞恒裕梁世维刘航志江希彭子舜岳伟杨余张倩; 文献传递

碳化硅MOSFET坚固性与可靠性研究: 近年来,随着新能源发电、电动汽车、通信电源以及智能电网等新兴应用快速发展,对电力电子装置的效率和应用环境提出了更为严苛的要求。以碳化硅金氧半场效晶体管(SiC MOSFET)为代表的第三代宽禁带半导体器件突破了传统Si器...; 江希; 关键词：电力电子器件

一种半导体结构以其制作方法: 本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：第一掺杂浓度的P+区、第二掺杂浓度的N+区以及设置在P+区和N+区之间的具有第三掺杂浓度的漂移区；其中，第一掺杂浓度和第二掺杂浓度均高于第三掺杂浓度；所述漂移区包括...; 王俊李宗鉴江希

SiC MOSFET与Si IGBT器件温度敏感电参数对比研究被引量：2: 2020年; 功率半导体器件结温是反映器件健康状态的关键指标。目前被认为具有前景的在线实时结温提取方案是基于器件本身的温度敏感电参数TSEPs(temperature sensitive electrical parameters)法,对于Si IGBT器件温敏电参数的在线实时结温提取方法国内外已有大量文献报道,但对于宽禁带SiC器件研究甚少,且对于不同种温敏电参数的特性差异分析极为必要。因此,提出针对不同温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT上的对比分析。首先对SiC MOSFET的静态和动态温敏电参数进行理论建模分析获取结温敏感依据,后续通过实验多维度对比分析温敏电参数在SiC MOSFET和Si IGBT的适用性。最后就各温敏电参数的提取电路设计进行分析对比。实验结果表明,通态电阻Ron和开通di/dt更适合于SiC MOSFET,而VTH、td-off和VGP更适合于Si IGBT。; 俞恒裕王俊江希陈建军

Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究被引量：4: 2020年; 综述了Si IGBT/SiC MOSFET混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结合了SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本优势,已有文献的最新研究和实验结果验证了该类器件的优异特性,表明其对高性能电力电子器件实现更高电流容量、更高开关频率和较低成本具有重要意义,是高性能变换器应用中非常有潜力的功率器件类型。; 李宗鉴王俊江希何志志彭子舜余佳俊; 关键词：损耗模型功率模块

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江希