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刘剑

作品数:32 被引量:17H指数:3
供职机构:沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术文化科学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 21篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 12篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 24篇感器
  • 24篇传感
  • 24篇传感器
  • 16篇硅电容
  • 14篇极板
  • 13篇压力传感器
  • 13篇力传感器
  • 8篇电容压力传感...
  • 8篇差压
  • 8篇差压传感器
  • 7篇过载
  • 5篇响应速度
  • 3篇电阻
  • 3篇压力敏感
  • 3篇压力敏感芯片
  • 3篇压敏电阻
  • 3篇综合精度
  • 3篇微差压传感器
  • 3篇微机械
  • 3篇温度

机构

  • 32篇沈阳仪表科学...

作者

  • 32篇刘剑
  • 29篇张治国
  • 29篇李颖
  • 25篇张娜
  • 16篇张哲
  • 12篇祝永峰
  • 10篇郑东明
  • 10篇梁峭
  • 9篇刘沁
  • 7篇周磊
  • 6篇刘波
  • 4篇匡石
  • 3篇庞士信
  • 3篇王雪冰
  • 3篇徐秋玲
  • 3篇于子涵
  • 2篇孙海玮
  • 1篇张振洲
  • 1篇吴虹
  • 1篇唐慧

传媒

  • 5篇仪表技术与传...
  • 1篇管道技术与设...
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 5篇2009
  • 2篇2008
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
提高压力传感器过载响应速度的研究
2015年
介绍了一种提高硅电容压力传感器过载回零响应速度的方法,通过在传感器硅可动极板上设计、制作快速导油微结构,实现了传感器过载回零响应速度的大幅度提升,解决了传感器设计中一项关键技术难题,使硅电容压力传感器真正达到了实用化程度,满足了工业现场的实际使用要求。
李颖张治国刘剑张哲张娜郑东明梁峭祝永锋
关键词:硅电容传感器响应速度
一种提高过载响应速度的硅电容压力传感器
一种提高过载响应速度的硅电容压力传感器,采用静电封接工艺将电容三极板封接成三明治结构,极板之间充灌有硅油介质,其特征在于可动极板的中心岛上,采用MEMS加工技术制作线型导油槽结构,导油槽的长度长于固定极板上金属电极的外轮...
李颖张治国庞士信刘沁张娜刘剑周磊
文献传递
硅电容微差压敏感器件的研制
本文从应用开发MEMS产品的实用角度出发,着力介绍一种新型的硅电容微差压敏感器件.文中给出了该器件的微结构组成,版图及参数设计、工艺设计,首次提出在中心极板制作导油槽结构提高微差压传感器过压回零响应速度的设计方法,并给出...
李颖张治国张娜刘剑周磊
关键词:结构特征响应速度
文献传递
新型硅电容压力传感器
新型硅电容压力传感器,它包括有硅片层和玻璃层,其技术要点是:在岛膜结构的硅中心可动极板上下两侧分别连接有一硅固定极板,所述的硅固定极板包括采用真空静电封接的硅片层和玻璃层,该玻璃层的厚度为50-200微米;所述硅固定极板...
张治国李颖张娜周磊刘剑
文献传递
一种硅电容多参量差压传感器及静压影响补偿方法
一种硅电容多参量差压传感器及静压影响补偿方法,在传感器压力腔内,设置硅电容差压敏感单元、压力敏感单元及温度敏感单元,改变硅电容差压传感器原单一的差压输出形式,实现单一传感器测量现场的多参数测量输出;同时后部处理电路利用压...
张治国李颖刘剑张娜刘波刘沁徐秋玲张哲王雪冰
差压传感器双向过载误差的完善被引量:3
2009年
文中从结构设计、制作工艺、原材料的性能参数选择等方面介绍了影响差压传感器双向过载误差的因素及完善双向过载误差方法的体会。
刘剑李颖刘波张娜张治国刘沁
关键词:差压传感器膜片
一种绝压传感器
一种绝压传感器,包括玻璃—硅复合极板和硅可动极板,技术要点是:在硅可动极板下固定一个玻璃—硅复合极板,所述硅可动极板是在两面抛光的硅片层两侧的中心岛部分固定有氧化硅层,硅片层一端的侧面固定有金属导电层,该硅片层的厚度为3...
张治国李颖祝永峰刘剑郑东明张哲张娜
文献传递
一种微机械硅压力敏感芯片
一种微机械硅压力敏感芯片,现有技术的芯片敏感度与精确度较低,技术要点是:它以硅衬底为主体,在芯片表面设置有压力膜片,在压力膜片下有凹形硅杯,压力膜片上设置有压敏电阻;压敏电阻分为两段由P+连结区相连的电阻组成,压敏电阻通...
张治国郑东明李颖刘剑张哲梁峭祝永峰
文献传递
一种提高硅电容压力传感器过载响应速度的方法
一种提高硅电容压力传感器过载响应速度的方法,是采用静电封接工艺将上玻璃固定极板、可动的硅中心极板、下玻璃固定极板封接成电容三极板结构,其特征在于采用MEMS加工技术,在硅电容压力传感器硅中心极板中心岛上、下面分别制作线型...
李颖张治国庞士信刘沁张娜刘剑周磊
文献传递
一种提高硅电容压力传感器过载能力的方法
一种提高硅电容压力传感器过载能力的方法,采用阳极键合工艺,其特征在于玻璃的上固定极板(1)、玻璃的下固定极板(3)相对内侧腐蚀区预留出限位点(8),硅中心极板(2)的可动电极(6)与限位点(8)之间有金属电极(9);在传...
张治国李颖张娜匡石刘剑
文献传递
共4页<1234>
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