李颖
- 作品数：66 被引量：69H指数：5
- 供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划建设部科学技术计划项目辽宁省教育厅基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学化学工程更多>>
- 一种SIC压力敏感器件
- 本实用新型公开了一种SIC压力敏感器件，其特征在于：包括敏感芯片及衬底玻璃，所述敏感芯片包括n‑p‑n型SIC材料的基体，所述基体由上至下包括器件层、过渡层、SIC衬底；在敏感芯片的器件层上方设置有SI面，在SIC衬底下...
- 李颖任向阳张治国刘宏伟祝永峰贾文博李永清何方张娜李昌振王卉如钱薪竹周聪肖文英刘柏汇白雪松关维冰尹萍
- 提高压力传感器过载响应速度的研究
- 2015年
- 介绍了一种提高硅电容压力传感器过载回零响应速度的方法,通过在传感器硅可动极板上设计、制作快速导油微结构,实现了传感器过载回零响应速度的大幅度提升,解决了传感器设计中一项关键技术难题,使硅电容压力传感器真正达到了实用化程度,满足了工业现场的实际使用要求。
- 李颖张治国刘剑张哲张娜郑东明梁峭祝永锋
- 关键词：硅电容传感器响应速度
- 一种提高过载响应速度的硅电容压力传感器
- 一种提高过载响应速度的硅电容压力传感器，采用静电封接工艺将电容三极板封接成三明治结构，极板之间充灌有硅油介质，其特征在于可动极板的中心岛上，采用MEMS加工技术制作线型导油槽结构，导油槽的长度长于固定极板上金属电极的外轮...
- 李颖张治国庞士信刘沁张娜刘剑周磊
- 文献传递
- 硅电容传感器产业化中的几个关键问题
- 针对硅电容传感器的特点,稳定性好，指标先进，适合批量生产，成本低，配套性好，完全自主知识产权、民族品牌。就硅电容传感器产业化过程中的几个关键问题:静压误差、响应时间、稳定性、产业化条件提供了解决方案和工艺措施,获得显著效...
- 徐开先李颖刘沁张治国匡石殷波
- 关键词：稳定性
- 文献传递
- 一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法
- 本发明公开了一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法，它包括敏感硅片层及衬底硅片层，其技术要点是：在敏感硅片层背面连接有衬底硅片层，所述敏感硅片层和衬底硅片层采用硅硅键合工艺形成压力密封腔。所述的衬底硅片层采用和敏感...
- 李颖张治国郑东明梁峭祝永峰
- 文献传递
- 电容差压传感器静压影响补偿方法
- 电容差压传感器静压影响补偿方法，包括把传感器接上转换电路及处理电路组成差压变送器，其特征在于测试变送器静压影响误差值，补偿一固定电容值，增大其等效电容值，以补偿外加静压的影响；根据公式Cb=C2*(△C1/△C2)-C1...
- 张治国匡石陈信奇李颖刘沁
- 文献传递
- 高稳定MEMS硅压力敏感芯片关键技术研究
- 2020年
- 在单晶硅晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片.根据芯片实际已经有要求,提出了提高芯片稳定性的制备过程的关键工艺其影响因素.测量结果表明,所制备高稳定MEMS硅压力敏感芯片线性度优于0.1%,重复性0.05%,迟滞性为0.05%,满足工业压力变送器的高精度测量要求,在实际工程应用中应用效果良好.
- 张治国李颖郑东明刘宏伟金琦祝永峰刘波
- 关键词：压力传感器压阻效应
- 厚膜混合电路的激光调阻技术被引量：5
- 2009年
- 文中重点论述了厚膜混合电路的激光调阻机理、激光调阻系统的结构、调阻工艺及参数、调阻工作程序、切割类型、切槽缺陷分析及合格切槽要求等方面的内容,对厚膜混合电路的激光调阻具有重要的指导意义。
- 李颖林洪陈琳王雪冰张娜张治国
- 关键词：切槽
- 新型工业用硅电容差压传感器、变送器的研制
- 硅电容传感器、变送器以其高精度、高可靠性和长时间免维护的高稳定性牢牢地占有着差压传感器、变送器的高端市场.本项目针对硅电容差压传感器、变送器的器件与结构两方面进行了充分的研究,采用MEMS工艺生产小型硅电容器件和三膜片结...
- 刘沁张治国匡石李颖
- 关键词：硅电容差压传感器变送器
- 文献传递
- 超级结MOSFET特性仿真分析
- 2023年
- 为实现硅基MOSFET功率器件低导通电阻和高击穿电压的折衷优化,在传统MOSFET漂移区中引入周期性排列的P区和N区,增加垂直分布的PN结结构,设计一种具有1200V耐压的超级结MOSFET。基于对工作原理的分析,使用Silvaco TCAD软件建立结构模型,仿真该器件的电流-电压特性、转移特性以及耐压特性。由仿真结果归纳出所设计超级结MOSFET工作原理,并与传统MOSFET进行对比。实验结果显示该超级结MOSFET在诸多方面均存在优势,为新型硅基功率半导体器件的设计改进提供了新的思路。
- 王卉如张治国祝永峰贾文博李颖任向阳钱薪竹
- 关键词：电流-电压特性耐压特性
