刘志民
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京工业大学固体微结构与性能研究所更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- A l互连线微结构的EBSD分析与电徙动可靠性
- 2005年
- 采用电子背散射衍射技术(EBSD),测量了微电子器件中A l互连线的晶粒结构、晶体学取向和晶界特征。A l互连线制备及退火工艺影响着互连线的显微结构和电徙动中值寿命(MTF)。结果表明,退火后晶粒明显长大,晶粒呈近竹节结构,形成很强的{111}织构,并使小角度晶界增加,从而提高了A l互连线的电徙动可靠性。
- 王俊忠刘志民钟涛兴张隐奇李志国吉元
- 关键词：EBSD
- ULSI/VLSI中铝互连线热应力的数值模拟
- 2005年
- 对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型。对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加。对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟。结果发现,互连线线宽的减小,钝化层硬度的增加,都会使应力增加。与纯弹性线条相比,弹性/理想塑性互连线条中的应力有所减小,且分布更均匀。
- 付厚奎吴月花刘志民郭春生李志国程尧海吉元崔伟
- 关键词：VLSI铝互连线热应力有限元
- 采用同步辐射源X射线衍射技术原位观测VLSI铝互连线的应力被引量：3
- 2005年
- 为研究VLSI金属互连线的应力导致IC器件失效的问题,采用同步辐射源X射线衍射技术,原位测试了VLSI中Al互连线在电迁徙及加热条件下的应力变化.沉积态的Al互连线在室温下为拉应力.退火过程使拉应力逐渐减小,在300～350℃过程中由拉应力转为压应力.在电流密度为(3×105～4×106)A/cm2,275min的电徙动实验过程中,Al互连线阳极端由拉应力转变为压应力,并随后随着电流密度的增加而增加.此外,采用扫描电镜(SEM)观察了Al互连线的电迁徙失效特征及应力释放过程.
- 吉元刘志民付厚奎李志国钟涛兴张虹吴月华付景永
- 关键词：热应力电迁徙
- VLSI铝互连线的微区应力与微结构的研究
- 本论文主要研究了VLSI中微米特征尺寸Al互连线的应力和微结构，及其对与电徙动中值失效寿命(MTF)的影响。
本项研究采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)、EBSD，分析了Al膜互连线的晶粒结构。沉积...
- 刘志民
- 关键词：铝互连线微结构
- 文献传递
- Al互连线和Cu互连线的EBSD分析
- 采用电子背散射衍射(EBSD)技术,对微电子器件VLSI的Al互连线和ULSI的Cu互连线的显微结构进行了分析和对比。Al和Cu互连线的晶粒结构和晶粒取向的形成和发展, 与互连线的制备工艺密切相关,并直接影响着金属化系统...
- 刘志民罗俊锋王俊忠张隐奇吉元
- 退火温度对铝互连线热应力的影响被引量：2
- 2006年
- 采用二维面探测器X射线衍射(XRD)测量1μm和0.5μm厚Al互连线退火前后的残余应力.沉积态Al线均为拉应力,且随膜厚的增加而减小.沿长度方向的应力明显高于宽度方向的应力,表面法线方向应力最小.250℃退火2.5h后,互连线在各方向上的应力都减弱,其中1μm Al线应力减弱幅度高于0.5μm互连线.采用电子背散射衍射(EBSD)方法,测量退火前后Al互连线(111),(100),(110)取向晶粒的IQ值.退火后平均IQ值提高,互连线残余内应力随之减小.EBSD分析结果与XRD应力测试结果相符合.
- 吴月花李志国刘志民吉元胡修振廖京宁
- 关键词：EBSD残余应力退火温度
- 铝和铜互连线的晶粒结构及残余应力研究
- 2010年
- 采用X射线衍射仪和扫描探针显微镜,观察和测量了分别由大马士革工艺制备的Cu互连线和由反应刻蚀工艺制备的Al互连线的晶粒结构和应力状态.大马士革工艺凹槽中的Cu互连线受到机械应力的影响,使Cu互连线的晶粒尺寸（45~65 nm）小于Al互连线的晶粒尺寸（200~300 nm）;Cu互连线（111）的织构强度（2.56）低于Al互连线（111）的织构强度（15.35）;Cu互连线沿线宽方向的应力σ22随线宽的减小而增加,即沉积态和退火态的Cu互连线的σ22由73和254 MPa（4μm线宽）分别增加到104和301 MPa（0.5μm线宽）.Cu互连线和Al互连线的流体静应力σ均为张应力.Al互连线的主应力σ11、σ22和σ33随Al膜厚度的减小而增加.退火使Al互连线的σ11、σ22和σ33降低,表明Al互连线中的残余应力主要为热应力.
- 王晓冬卫斌张隐奇刘志民吉元
- 关键词：织构应力
- Al互连线和Cu互连线的显微结构被引量：6
- 2007年
- 利用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量了由反应离子刻蚀工艺(RIE)制备的Al互连线和大马士革工艺(Damascene)制备的Cu互连线的显微结构,包括晶粒尺寸、晶体学取向和晶界特征.分析了Cu互连线线宽,及Al和Cu互连线退火工艺对互连线显微结构及电徙动失效的影响.
- 王俊忠吉元王晓冬刘志民罗俊锋李志国
- 关键词：电子背散射衍射互连线显微结构
