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刘健
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11
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
和致经
中国科学院微电子研究所
刘新宇
中国科学院微电子研究所
吴德馨
中国科学院微电子研究所
魏珂
中国科学院微电子研究所
邵刚
中国科学院微电子研究所
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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au的欧姆接触系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au,欧姆接触系统在680℃-76...
魏珂
和致经
刘新宇
刘健
吴德馨
文献传递
适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件Al/Ti/Al/Pt/Au新型欧姆接触合金系统。提出一种新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Pt/Au。该合金欧姆接触系统在660-760度范围...
魏珂
和致经
刘新宇
刘健
吴德馨
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AlGaN/GaN 器件的欧姆接触
GaN器件以其大电流,高击穿电压,良好的微波性能在微波功率领域有着广阔的应用前景.欧姆接触对功率器件的性能影响很大,因此宽禁代半导体材料上的欧姆接触被广泛研究.本文探讨采用Ti/Al/Ti/Au合金体系在不同条件下在Al...
邵刚
刘健
刘新宇
和致经
关键词:
GAN
欧姆接触
GAN器件
微波性能
ALGAN
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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au的欧姆接触系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au,欧姆接触系统在680℃-76...
魏珂
和致经
刘新宇
刘健
吴德馨
文献传递
适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au,具有很大的工艺宽容度,可以在较低680℃-7...
魏珂
和致经
刘新宇
刘健
吴德馨
文献传递
适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构...
魏珂
和致经
刘新宇
刘健
吴德馨
文献传递
适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件Al/Ti/Al/Pt/Au新型欧姆接触合金系统。提出一种新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Pt/Au。该合金欧姆接触系统在660—760度范围...
魏珂
和致经
刘新宇
刘健
吴德馨
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蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件(英文)
2004年
报道了蓝宝石衬底 Al Ga N/ Ga N共栅共源器件的制备与特性 .该器件包括栅长为 0 .8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件 .实验表明 ,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性 ,从而控制功率增益 .与共源器件相比 ,共栅共源器件表现出稍低的 f T、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗 .
邵刚
刘新宇
和致经
刘健
吴德馨
关键词:
宽带
ALGAN/GAN
HEMTS
蓝宝石
适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触Ti/Al/Ti/Pt/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Ti/Al/Ti/Pt/Au,具有很大的工艺宽容度,可以在较低780℃的情况,...
魏珂
和致经
刘健
刘新宇
吴德馨
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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au,具有很大的工艺宽容度,可以在较低680℃-7...
魏珂
和致经
刘新宇
刘健
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