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刘健

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 10篇欧姆接触
  • 9篇氮化镓
  • 9篇氮化镓器件
  • 9篇接触系统
  • 8篇铝
  • 7篇合金
  • 7篇合金系
  • 7篇合金系统
  • 7篇钛
  • 3篇铂
  • 2篇ALGAN/...
  • 1篇微波
  • 1篇微波性能
  • 1篇宽带
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇ALGAN
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN器件

机构

  • 11篇中国科学院微...

作者

  • 11篇刘健
  • 11篇刘新宇
  • 11篇和致经
  • 10篇吴德馨
  • 9篇魏珂
  • 2篇邵刚

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 5篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au的欧姆接触系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au，欧姆接触系统在680℃－76...
魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
文献传递
适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件Al/Ti/Al/Pt/Au新型欧姆接触合金系统。提出一种新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Pt/Au。该合金欧姆接触系统在660－760度范围...
魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
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AlGaN/GaN 器件的欧姆接触
GaN器件以其大电流,高击穿电压,良好的微波性能在微波功率领域有着广阔的应用前景.欧姆接触对功率器件的性能影响很大,因此宽禁代半导体材料上的欧姆接触被广泛研究.本文探讨采用Ti/Al/Ti/Au合金体系在不同条件下在Al...
邵刚刘健刘新宇和致经
关键词：GAN欧姆接触GAN器件微波性能ALGAN
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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au的欧姆接触系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au，欧姆接触系统在680℃-76...
魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au，具有很大的工艺宽容度，可以在较低680℃－7...
魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构...
魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件Al/Ti/Al/Pt/Au新型欧姆接触合金系统。提出一种新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Pt/Au。该合金欧姆接触系统在660—760度范围...
魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
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蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件(英文)
2004年
报道了蓝宝石衬底 Al Ga N/ Ga N共栅共源器件的制备与特性 .该器件包括栅长为 0 .8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件 .实验表明 ,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性 ,从而控制功率增益 .与共源器件相比 ,共栅共源器件表现出稍低的 f T、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗 .
邵刚刘新宇和致经刘健吴德馨
关键词：宽带ALGAN/GANHEMTS蓝宝石
适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触Ti/Al/Ti/Pt/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Ti/Al/Ti/Pt/Au，具有很大的工艺宽容度，可以在较低780℃的情况，...
魏珂和致经刘健刘新宇吴德馨
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适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au，具有很大的工艺宽容度，可以在较低680℃-7...
魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
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