和致经
- 作品数：97 被引量：95H指数：5
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种电子束对准标记的制作方法及其应用
- 本发明公开了一种电子束对准标记的制作方法，采用Ti/Pt金属结构作为对准标记的金属结构，对衬底材料采用光刻方法进行光刻，在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线...
- 刘果果和致经魏珂刘新宇郑英奎
- 文献传递
- 钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响被引量：1
- 2008年
- 提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCl:H2O=1:4:20)对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面预处理再钝化,成功地抑制了AlGaN/GaNHEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AlGaN表面,观察到经过预处理后的AlGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AlGaN/GaNHEMTs性能的主要原因.
- 李诚瞻刘丹郑英奎刘新宇刘键魏珂和致经
- 关键词：ALGAN/GANHEMTS钝化
- 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
- 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au，具有很大的工艺宽容度，可以在较低680℃－7...
- 魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
- 文献传递
- 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
- 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；...
- 李诚瞻魏珂郑英奎刘果果和致经刘新宇刘键
- 文献传递
- 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
- 本发明涉及半导体器件工艺技术领域，特别是一种应用于基于氮化镓材料的包封退火方法。包括：步骤1：光学光刻形成电子束标记和源漏金属区，沉积欧姆接触金属；步骤2：于金属上沉积SiN或者SiO介质膜，厚度为3000；步骤3：退...
- 郑英奎魏珂和致经刘新宇
- 文献传递
- 一种电子束对准标记的制作方法
- 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束对准标记的制作方法，包括：A、对衬底材料进行光刻，同时形成电子束对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B、对衬底材料进行光刻，在电子束对准标记周围形成方形标记...
- 李诚瞻黄俊郑英奎刘果果和致经魏珂刘新宇
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- 基于FC技术的AlGaN/GaN HEMT被引量：5
- 2005年
- 采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN/GaN HEMTs,并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理.从测试结果看,器件的热阻可大幅降到14 .9K·mm/W,直流特性明显增加,饱和电流提高33%.表明采用FC技术有效改善了器件散热,而且引入的寄生电感较小,可获得更大输出功率.如果进一步完善频率特性的优化,可以加快FC技术的AlGaN/GaN大功率HEMT器件的实用化进程.
- 陈晓娟刘新宇邵刚刘键和致经汪锁发吴德馨
- 关键词：ALGAN/GANHEMTFC热阻
- 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
- 本发明一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，在n型重掺杂铟镓砷半导体层上与金属形成良好欧姆接触的新型六层金属系统镍/锗/金/锗/镍/金，在较低的温度360～380摄氏度和较短的时间50～80秒内，于氮气气氛下...
- 李海鸥尹军舰张海英和致经叶甜春
- 文献传递
- AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取
- 2007年
- 利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.
- 刘丹陈晓娟罗卫军李诚瞻刘新宇和致经
- 关键词：ALGAN/GANHEMT小信号等效电路
- 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
- 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法，该方法包括：在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中，在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前，采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理，...
- 李诚瞻魏珂刘新宇刘键刘果果郑英奎王冬冬黄俊和致经
- 文献传递
