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陈媛媛

作品数:38 被引量:93H指数:5
供职机构:北京工商大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信文化科学理学机械工程更多>>

文献类型

  • 33篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 11篇文化科学
  • 5篇理学
  • 3篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇农业科学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 14篇SOI
  • 11篇波导
  • 10篇教学
  • 8篇光波
  • 6篇电工电子
  • 6篇课程
  • 5篇电工电子学
  • 5篇子学
  • 5篇光开关
  • 5篇光学
  • 4篇多模
  • 4篇多模干涉
  • 4篇多模干涉耦合...
  • 4篇耦合器
  • 4篇集成光学
  • 4篇教学方法
  • 4篇光波导器件
  • 4篇硅基
  • 4篇波导器件
  • 3篇弯曲波导

机构

  • 26篇北京工商大学
  • 16篇中国科学院
  • 3篇中央民族大学
  • 2篇中国农业科学...
  • 1篇北京大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国农业大学

作者

  • 38篇陈媛媛
  • 15篇余金中
  • 7篇吴静珠
  • 7篇陈少武
  • 6篇李艳萍
  • 5篇樊中朝
  • 4篇杨笛
  • 3篇孙梅
  • 3篇严清峰
  • 3篇夏金松
  • 3篇王章涛
  • 2篇付扬
  • 2篇孙丽娟
  • 2篇刘翠玲
  • 2篇邢素霞
  • 2篇李阳
  • 1篇王小龙
  • 1篇隋淑霞
  • 1篇陈岩
  • 1篇徐德刚

传媒

  • 6篇激光与红外
  • 5篇中国教育技术...
  • 3篇光电子.激光
  • 2篇Journa...
  • 2篇农机化研究
  • 2篇中国现代教育...
  • 2篇光子技术
  • 2篇中国科教创新...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇中国粮油学报
  • 1篇北京工商大学...
  • 1篇信息产业报道
  • 1篇科技资讯
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇北京高教学会...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
从OFC 2004看全光网中关键光器件的新发展被引量:7
2005年
概述了在OFC2004会议上报道的几种支撑光网络发展的关键器件的最新进展,包括滤波器、光开关、可变光衰减器(VOA)、全光波长转换器(AOWC)及波长选择开关(WSS)等。介绍了这些新型器件的工作原理和结构。
陈媛媛余金中
关键词:OFC全光网光器件可变光衰减器全光波长转换器WSS
电工电子学课程中戴维宁定理的教学设计被引量:1
2015年
戴维宁定理是电工电子学课程中电路部分的一个非常重要的电路定理。在教学中要按照学生的认识规律有效地设计好教学层次。通过引入讲解、练习巩固的教学过程,化难为易,帮助学生理解掌握戴维宁定理的解题方法。
陈媛媛
关键词:电工电子学教学方法
SOI材料在光电子学中的应用被引量:4
2012年
SOI材料是应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料。近年来随着SOI材料制备和加工技术的成熟,SOI基光波导器件的研究日益受到人们的重视。文章介绍了SOI材料在光电子学领域的一些具体应用,包括了在热光器件、电光器件、亚微米波导器件与光纤的耦合器以及光电子集成芯片等方面的最新研究进展。更小的波导截面尺寸是未来SOI光波导器件发展的必然趋势。
陈媛媛杨笛
关键词:SOI硅基光电子学电光
4×4热光SOI波导开关阵列被引量:3
2009年
设计并制作了阻塞型和完全无阻塞型4×4热光SOI(silicon-on-insulator)波导开关阵列。开关单元采用了多模干涉耦合器(MMI)-MZI(Mach-Zehnder interferometer)结构的2×2光开关。阻塞型光开关附加损耗为4.8~5.4dB,串扰为-21.8dB~-14.5dB。完全无阻塞型光开关阵列附加损耗为6.6~9.6dB,串扰为-25.8~-16.8dB。两者的消光比都在17~25dB内变化,开关单元功耗小于230mW。器件的开关时间小于3μs。功耗和开关速度都明显优于SiO2基和聚合物基的开关阵列。
陈媛媛李艳萍余金中
关键词:开关阵列SOI
热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度被引量:3
2004年
提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量 .通过 Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析 .用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较 .实验中将硅波导的表面粗糙度由6 5 .4 nm降低到了 8.8nm.
陈媛媛夏金松樊中朝余金中
关键词:热氧化表面粗糙度
以学生为中心的电路课程教学模式思考被引量:3
2016年
该文对现有高校电路课程的3种不同教学模式进行了分析比较。介绍了传统教学、慕课教学和翻转课堂教学各自的特点和优劣。传统教学简洁高效,发展成熟。而慕课和翻转课堂教学作为新生事物,在提升学生主动性,培养探索创新精神方面也有着自己的优势。
陈媛媛
关键词:课堂教学
“模拟电子技术”课程教学面临问题的一些思考
2013年
本文就新时代下"模拟电子技术"课程教学面临的一些问题进行了分析,从课程变革、教师因素、学生因素等方面入手,提出了一些想法和建议,希望能够促进课程教学水平的提高。
陈媛媛
关键词:模拟电子技术教学改革
从GFP2011看硅光子学的进展
2012年
半导体硅材料不仅是一种电子材料,也是一种合适的光子材料。成熟的微电子加工工艺更为硅光子学提供了坚实的技术基础。根据第八届Ⅳ族光子学国际会议的信息,文章综述了硅基光波导技术特别是SOI光波导技术研究的最新进展,着重介绍了光调制器、亚波长光栅、混合集成、封装以及波导加工等方面的新理念与新方法。
陈媛媛余金中
关键词:SOI硅基光子学
关于电工电子学实验教学的探索和思考被引量:4
2013年
目前电工电子学实验普遍存在学生学习主动性不足、预习准备不充分、盲目实验等问题。针对高校在电工电子实验方面存在的这些问题提出了相关建议,包括预习环节的控制,实验课前的集中讲解,实操过程中的辅导和实验后的总结等。
陈媛媛付扬
关键词:电工电子实验实验教学教学方法
SOI波导弯曲损耗影响因素的分析
采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析.通过模拟发现弯曲损耗随弯曲...
陈媛媛余金中严清峰陈少武
关键词:SOI弯曲波导弯曲损耗集成光学
文献传递
共4页<1234>
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