陆沅
- 作品数：15 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究
- 2003年
- 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长,从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿。
- 曲宝壮朱勤生陈振陆大成韩培德刘祥林王晓晖孙学浩李昱峰陆沅黎大兵王占国
- 关键词：量子点MOCVD共振隧穿INGAN/GAN
- 铟镓氮薄膜的光电特性被引量：5
- 2002年
- 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着
- 韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国
- 关键词：MOVPE光电特性
- (111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察
- 胡桂青孔翔王乙潜万里段晓峰陆沅刘祥林
- 文献传递
- InAlGaN薄膜和硅基GaN的HRXRD表征
- 2002年
- 黎大兵陆沅董逊刘祥林郑文莉王占国
- 关键词：硅基GAN氮化物III族晶格
- Si(111)衬底GaN生长及特性研究
- 该论文采用MOCVD设备,围绕Si衬底生长GaN材料展开研究.一方面根据Si衬底生长GaN晶格失配和热失配大的难点提出了相应的生长方法,另一方面对Si基GaN材料的特性和生长机理进行细致的研究.主要包括以下内容:1.提出...
- 陆沅
- 关键词：MOCVDSIGANALN
- 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
- 一种在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物的方法，涉及半导体技术领域，利用应力补偿缓冲层在硅衬底上生长无裂纹III族氮化物薄膜。该方法，1)首先在单晶硅衬底上沉积20纳米左右铝化的高温氮化铝缓冲层，然后在其上再沉积一层晶格常...
- 吴洁君韩修训李杰民黎大兵陆沅王晓晖刘祥林王占国
- 文献传递
- 钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性被引量：1
- 2003年
- 采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性。该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法。第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6 3×1010/cm2。随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大。在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性———超长红移现象。它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应。
- 陈振韩培德陆大成刘祥林王晓晖李昱峰袁海荣陆沅黎大兵王秀凤朱勤生王占国
- 关键词：INGAN量子点
- 在硅衬底上生长无裂纹三族氮化物薄膜的方法
- 一种在硅衬底上生长无裂纹三族氮化物薄膜的方法，其特征在于，采用了以下的方法来生长缓冲层，包括如下步骤：(A)首先在硅衬底表面形成一层薄的液态铝层，该液态铝层的主要作用是阻止无定形的氮化硅层的形成；(B)然后生长一层氮化铝...
- 陆沅刘祥林陆大成王晓晖王占国
- 文献传递
- GaN的声表面波特性研究被引量：2
- 2003年
- 采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度,并通过计算得到了机电耦合系数(κ2)。所测量的声表面波速度(v)为5667m/s,机电耦合系数(κ2)为1 9%。
- 严莉陈晓阳何世堂李红浪韩培德陈振陆大成刘祥林王晓晖李昱峰袁海荣陆沅黎大兵朱勤生王占国
- 关键词：GAN氮化镓机电耦合系数薄膜生长声表面波器件
- (111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察被引量：4
- 2002年
- 胡桂青孔翔王乙潜万里段晓峰陆沅刘祥林
- 关键词：TEM氮化镓透射电子显微镜薄膜生长
