杨建松
- 作品数：7 被引量：9H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信建筑科学更多>>
- 含氮直拉硅单晶的热处理方法
- 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和...
- 杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
- 文献传递
- 含氮直拉硅单晶的热处理方法
- 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和...
- 杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
- 文献传递
- 微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为被引量：1
- 1996年
- 氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主（ＴＤ）和新施主（ＴＮＤ）的氮关施主（ＮＲＤ）（ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｒｅｌａｔｅｄｄｏｎｏｒ）．其形成于５００～９００℃，６００℃左右最为活跃．短时间热处理时，ＮＲＤ的形成与消除具有可回复性，并与氮—氮对的可逆变化──对应．随热处理时间的延长，可逆行为逐渐消失．硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态．
- 张溪文杨建松李立本阙端麟
- 关键词：掺杂氮硅单晶
- 大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响被引量：7
- 2003年
- 研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮 (N )对原生氧沉淀的影响 .通过高温一步退火 (10 5 0℃ )和低 -高温两步退火 (80 0℃ +10 5 0℃ )发现在掺 N直拉 (NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉 (CZ)硅是大不相同的 ,经过高温一步退火后 ,在氧化诱生层错环 (OSF- ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷 (voids)区 ,而经过低 -高温两步退火后 ,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于 voids区 .由此可得 ,在晶体生长过程中 ,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布 .并在此基础上讨论了在大直径 NCZ硅中掺 N影响原生氧沉淀的机理 .
- 余学功杨德仁杨建松马向阳李立本阙端麟
- 关键词：大直径直拉硅掺氮
- 重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力被引量：1
- 2003年
- 研究了重掺硼 ( HB)、重掺砷 ( HAs)以及重掺锑 ( HSb)直拉 ( CZ)硅片对重金属 Cr的内吸杂能力 .将不同程度(～ 10 1 2 cm- 2 ,～ 10 1 4 cm- 2 )沾污 Cr的硅片在 N2 下进行常规的高 -低 -高三步退火 ,并由全反射 X射线荧光光谱( TRXF)测量退火前后样品表面 Cr的含量 .结果表明在三种重掺硅中 ,HB硅片的内吸杂能力最强 ,HAs硅片次之 。
- 余学功杨德仁马向阳杨建松阙端麟
- 关键词：氧沉淀内吸杂
- 氮氢氢直检硅学晶清洁区形成规律研究
- 杨建松
- 氮气氛掺氮直拉(CZ)硅单品表洁区形成规律研究
- 杨建松
