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余学功

作品数：192 被引量：71H指数：6
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 124篇专利
  • 46篇会议论文
  • 20篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 44篇电气工程
  • 37篇电子电信
  • 12篇化学工程
  • 7篇理学
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇文化科学
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 74篇电池
  • 56篇单晶
  • 47篇太阳电池
  • 34篇单晶硅
  • 29篇硅片
  • 25篇直拉硅
  • 24篇太阳能电池
  • 24篇硅
  • 21篇多晶
  • 19篇多晶硅
  • 19篇太阳能
  • 19篇晶体硅
  • 19篇硅单晶
  • 17篇籽晶
  • 17篇硅太阳电池
  • 16篇体硅
  • 16篇晶体
  • 14篇钙钛矿
  • 13篇掺氮
  • 10篇吸杂

机构

  • 192篇浙江大学
  • 1篇乐山职业技术...

作者

  • 192篇余学功
  • 186篇杨德仁
  • 27篇阙端麟
  • 26篇顾鑫
  • 24篇马向阳
  • 17篇肖承全
  • 10篇李晓强
  • 7篇王朋
  • 6篇李立本
  • 6篇陈鹏
  • 5篇汪雷
  • 5篇吴轶超
  • 4篇樊瑞新
  • 4篇黄杰
  • 4篇杨黎飞
  • 4篇董鹏
  • 4篇原帅
  • 3篇张放
  • 3篇雷东
  • 3篇崔灿

传媒

  • 9篇Journa...
  • 5篇第13届中国...
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  • 2篇物理学报
  • 2篇材料科学与工...
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇第十一届中国...
  • 2篇第八届中国太...
  • 2篇第九届中国太...
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  • 1篇半导体情报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中国科教创新...
  • 1篇中国材料进展
  • 1篇Transa...
  • 1篇中国科学：信...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届中国...
  • 1篇第15届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 8篇2023
  • 12篇2022
  • 7篇2021
  • 7篇2020
  • 7篇2019
  • 9篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 12篇2015
  • 11篇2014
  • 11篇2013
  • 26篇2012
  • 25篇2011
  • 14篇2010
  • 14篇2009
  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 10篇2003
  • 2篇2002
共 192 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种宽带隙钙钛矿活性层及太阳电池的制备方法
本发明公开了一种宽带隙钙钛矿活性层的制备方法，通过在第一步制备卤化铅层的同时引入卤化铯盐，通过调节制备参数使其优先形成少量的全无机铯铅卤钙钛矿，第二步覆盖卤化甲脒甲胺混合盐制备形成钙钛矿活性层，解决了由于宽带隙钙钛矿Br...
余学功杭鹏杰姚宇新李彪阚晨霞杨德仁
文献传递
提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法及得到的单晶硅
本发明公开了一种提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法，包括如下步骤：(1)将多晶硅原料以及固体掺杂剂在氩气气氛下熔融，得到稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，晶体生长经缩颈、放肩过程，进入等径生长阶段；(3)在等径...
杨德仁陈鹏余学功吴轶超陈仙子
文献传递
铸造晶体硅的生长和缺陷:多晶到单晶
介绍了研究背景太阳能发电是最主要的可再生能源之一.欧盟预计:2100年,太阳能发电将在能源供应中超过60％!光伏材料光伏材料分类:直拉单晶硅、铸造多晶硅、薄膜材料等。
余学功胡动力杨德仁
关键词：晶体硅
一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法
本发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法，采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液，在硅太阳电池片迎光面上，丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液，烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全，在保护气体氛...
余学功顾鑫杨德仁许敬琳雷东曾令胜叶浩挺
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具有零能耗的光电神经突触器件及制备方法
本发明公开了一种具有零能耗的光电神经突触器件及制备方法，该神经突触器件结构包括顶电极、空穴传输层、光电响应层、电子传输层及底电极。本发明的神经突触器件利用光生伏特效应，在光刺激后，电流会自动产生，无需外加偏压，因此该器件...
皮孝东黄稳杭鹏杰余学功杨德仁
文献传递
铸造多晶硅的光致衰减研究
本文采用卤灯光照，微波光电导衰减仪（MWPCD）测试对铸造多晶硅的光致衰减进行了研究。首先比较了铸造多晶硅与CZ 单晶硅的衰减，前者衰减更小，较高含量的碳是一个主要原因，另外由于FeB 的分解，光照开始阶段会有寿命的上升...
王朋杨德仁李晓强余学功阙端麟
关键词：太阳电池氧浓度高温处理
文献传递
一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品
本发明公开了一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品，具体是先在坩埚内壁涂上一层高纯的氮化硅或氧化硅层，然后在坩埚底部中心放置一小块无位错单晶硅籽晶，再打开对应于单晶硅籽晶的坩埚底部冷却水或冷却气体对中心的单晶硅...
余学功原帅杨德仁
文献传递
一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片
本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构...
杨德仁肖承全余学功
硅中位错运动及其与晶界相互作用的研究
本文利用特殊的单个晶界的键合样品，结合显微压痕和热处理的方法研究了硅中晶界与位错的相互作用。用显微压痕的方法在硅中晶界附近引入压痕，控制压痕方向使压痕的对角线平行于滑移方向，热处理过程中残余应力释放，驱动位错沿着滑移方向...
李中兰余学功汪雷杨德仁
关键词：残余应力热处理温度
文献传递
硼磷补偿晶体硅的性能及其光伏应用
冶金法提纯硅(UMG-Si)往往含有高浓度的硼和磷,本文采用直拉法生长了两根硼磷不同浓度掺杂补偿的硅单晶体,并通过二次离子质谱法(SIMS)和微波光电导衰减法(MW-PCD)测试不同硅晶体位置的硼磷浓度,为生产高性能太阳...
肖承全余学功杨德仁
关键词：晶体硅化学成分
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