李立本
- 作品数：71 被引量：76H指数：6
- 供职机构：浙江大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
- 本发明的多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法是硅单晶生长过程中,在多晶硅融化时,用高纯氮气作为保护气,高纯氮气的压力为5～200Torr,流量为1～200l/min,氮气通入时间1～1000分钟,在多晶硅融化后,转化为氩气...
- 李立本杨德仁阙端麟
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- 重掺硅中氧的测定
- 本文研究重掺硅中氧的测定,实验首先选用轻掺(ρ＞10Ω·CM)样品分别用氧体熔化分析法(GFA法,LECO RO-416测氧仪)和付立叶变换红外法(FTIR法,Nicolet410)测氧,而后用GFA法测定了重掺锑、砷、...
- 刘培东浙江浙大海纳科技股份公司(杭州)应啸黄笑容李立本阙端麟
- 关键词：重掺硅
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- 含氮直拉硅单晶的热处理方法
- 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和...
- 杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
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- 重掺硅中氧的测定被引量：5
- 2001年
- 研究了重掺硅中氧的测定 ,实验首先选用轻掺 (ρ>10Ω· cm)样品分别用气体熔化分析法 (GFA法 )和傅里叶变换红外法 (FTIR法 )测氧 ,而后用 GFA法测定了重掺锑、砷、硼单晶的氧浓度 .实验发现用 GFA法和 FTIR法测氧 ,二者的结果成很好的线性关系 ,为便于比较可将重掺硅在 GFA法下的测定结果转换为 FTIR法下的测定结果 ,还对影响 GFA法测定结果的样品制取、样品处理。
- 刘培东黄笑容沈益军李立本阙端麟
- 关键词：硅中氧红外光谱
- 以Ge－B共掺直拉硅片作为衬底的P/P<Sup>+</Sup>硅外延片
- 本发明的以Ge－B共掺的直拉硅片作为衬底的P/P<Sup>+</Sup>硅外延片，其衬底中硼的浓度为3×10<Sup>18</Sup>～1×10<Sup>20</Sup>/cm<Sup>3</Sup>，Ge的浓度为1×1...
- 杨德仁马向阳田达晰江慧华李立本阙端麟
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- 硅中的氮氧复合物及其施主行为被引量：4
- 1999年
- 含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失．文章进一步研究了氮—新施主的结构模型，并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨．
- 刘培东张锦心李立本阙端麟
- 关键词：硅电学性能
- p型含氮CZ—Si单晶的退火性质被引量：1
- 1993年
- 本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。
- 陈畅生曾繁清曾瑞陈炳若龙理何民才张锦心李立本
- 关键词：单晶制备退火
- 含氮直拉硅单晶的热处理方法
- 一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和...
- 杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
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- 氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法
- 本发明公开的氮气氛生长氮浓度可控微氮直拉硅单晶的方法包括多晶硅的融化，种籽晶，放肩、生长、收尾、冷却全过程，其特征是：先将多晶硅在高纯氩气保护下，升温融化，待多晶硅融化后，将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气，高纯氮气的压力...
- 杨德仁李立本田达晰马向阳沈益军阙端麟
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- 硅片高温工艺与塑性形变被引量：1
- 1998年
- 为减小硅片高温工艺中的形变，通过仿硅器件在１２００℃热处理１．５ｈ高温工艺热处理实验，研究了装片方式、升温速率和急冷温度等工艺条件对硅片弯曲度变化的影响，实验结果表明硅片热处理中塑性形变主要是在急冷过程产生的，快速加热对形变影响不大。急冷温度越高，硅片中心与边缘温差越大，因产生位错和滑移形成的塑性形变就越大，１２００℃急冷的弯曲度变化是７７０℃急冷的４倍，水平装片比竖直装片形变大，紧贴式装片比间隔式容易弯曲。采用降低急冷温度，由１２００℃缓慢降至７７０℃左右再急冷，配合竖直间隔方式装片和容器加盖等方法可减少高温工艺中硅片的形变。
- 谢书银万关良李立本张锦心
- 关键词：硅片塑性形变
