2024年8月22日
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易黎
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9
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供职机构:
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
李泽宏
电子科技大学光电信息学院电子薄...
周春华
电子科技大学光电信息学院电子薄...
廖忠平
电子科技大学光电信息学院电子薄...
谢刚
电子科技大学光电信息学院电子薄...
钱梦亮
电子科技大学光电信息学院电子薄...
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作者
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易黎
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VDMOS器件ESD保护结构的设计
本文设计了一种多晶硅PIN二极管作为VDMOS器件的ESD保护结构。 多品硅PIN二极管通过在场氧化层上的多晶硅中小同区域进行不同掺杂实现,用来进行VDMOS器件栅源间的ESD保护。对不同I区宽度和二极管串联个...
李泽宏
易黎
周春华
罗萍
计建新
张波
关键词:
版图设计
文献传递
主动式动态测试系统的设计与实现
易黎
功率VDMOS器件ESD保护结构瞬态模型研究
基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析,并结合栅介质击穿条件,提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效,得到各保护器件参数与功率器件抗ESD能力的解析关系,且模型结果与数值仿真结果吻合良...
周春华
李泽宏
胡永贵
刘勇
易黎
钱梦亮
关键词:
静电保护
一种新型超势垒整流器SBR的设计
分析了一种新型的超级势垒整流器SBR(SBR:Super Barrier Rectifier)。理论分析SBR结构势垒,建立了该器件正向压降的解析式,同时设计了该器件的工艺制程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规...
廖忠平
李泽宏
周春华
钱梦亮
谢刚
吕沛
王宇
易黎
关键词:
结构参数
一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在功率器件中引入部分埋氧区4,所述部分埋氧区4位于器件主要垂直导电通路的两旁,可做在外延层3上,或同时占据衬底2和外延层3的部分区域,或同时占据外...
李泽宏
张子澈
张磊
易黎
张波
李肇基
文献传递
抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件,属于半导体功率器件技术领域。采用漏引出端位于器件层表面的高功率SOI V-DMOS内引入由绝缘体区域4构成的部分埋氧结构,所述部分埋氧结构位于器件主要垂直导电通路的两旁...
李泽宏
张子澈
易黎
张磊
张波
文献传递
基于多晶硅二极管的DMOS器件ESD保护
设计了一种基于多晶硅二极管的DMOS器件的ESD保护。多晶硅二极管作为ESD保护较体硅二极管而言,降低了器件泄漏电流,消除了衬底耦合噪声和寄生效应。仿真分析了多晶硅二极管ESD保护结构,确定了结构参数,并对其ESD保护能...
易黎
李泽宏
周春华
胡永贵
刘勇
谭开洲
廖忠平
吕沛
关键词:
金属-半导体二极管
静电保护
电路测试
横向局域寿命控制功率IOC-FRD的设计
提出了具有横向局域寿命控制的功率IOC-FRD(IOC-FRD:Ideal Ohm Contact-Fast Recovery Diode)器件。借助电荷分析法,获得该器件的等效少子寿命的解析式,从而建立了存储时间的表达...
吕沛
李泽宏
谢刚
王宇
廖忠平
易黎
关键词:
快恢复二极管
优化设计
欧姆接触
一种新型超势垒整流器
2008年
提出了一种新型的超势垒整流器(SBR)。对SBR结构势垒进行了理论分析,建立了该器件正向压降的解析式,并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小,反向恢复特性优于常规PN结二极管;SBR比肖特基二极管的可靠性高。该分析可以很好地指导这类整流器件的设计。
谢刚
廖忠平
李泽宏
周春华
钱梦亮
吕沛
王宇
易黎
关键词:
正向压降
反向恢复
可靠性
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