周明斌
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 一种高氮压助熔剂-坩埚下降法制备GaN晶体的方法
- 本发明公开了一种高氮压助熔剂-坩埚下降法制备GaN晶体的方法，包括：1）在充有保护气体的手套箱中将GaN籽晶或助熔剂和金属镓按照摩尔比1：9～9：1放入坩埚中；2）并将其放入高温高压晶体生长设备中，密封抽真空后充入含氮气...
- 李振荣周明斌范世*徐卓
- 文献传递
- Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展被引量：1
- 2013年
- 以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈。在GaN体单晶的几种生长方法中,由于Na助熔剂法的生长条件相对温和且成本相对较低,近年来发展较快。本文从Na助熔剂法的原理、生长工艺、助熔剂种类以及得到晶体尺寸和质量等几方面进行了综述,分析了目前Na助熔剂法生长GaN单晶中的技术问题并提出了进一步研究的一些建议。
- 周明斌李振荣李静思吴熙范世马■徐卓
- 关键词：氮化镓
- 7MPa氮压下Na助熔剂法生长GaN晶体的研究被引量：4
- 2013年
- 采用Na助熔剂法在7 MPa氮压下并引入较大温度梯度(20～70℃/cm),获得了大量毫米级的GaN晶体,GaN晶体产率高达70%以上。光学及SEM照片显示其晶形大部分为六方锥体。晶体粉末衍射分析表明,生成的GaN单晶具有六方纤锌矿结构,与标准卡片符合得很好,而单晶衍射图谱中出现(101-1)的衍射峰,说明GaN单晶锥面为{101-1},其(101-1)面的摇摆曲线的半高宽仅为4.4 arcsec,室温下采用He-Cd 325 nm激光器激发的GaN单晶的PL谱,最高峰位于标准GaN材料的365 nm处,峰的半高宽为13.5 nm,生长的GaN单晶完整性较高。
- 周明斌李振荣范世马岂徐卓
- 关键词：温度梯度
- 引入温度梯度的高压Na助熔剂法生长GaN晶体的研究
- 高压Na助熔剂法通过引入较大温度梯度(40～70℃/cm),获得了大量的尺寸为1-3mm的GaN晶体.研究的不同的高氮压对GaN晶体产率的影响.在氮压为7MPa条件下,GaN晶体的产率达到80％以上.
- 周明斌李振荣范世马岂徐卓
- 一种高温高压晶体生长设备
- 本发明所提供一种高温高压晶体生长设备，尤其是一种能生长大尺寸GaN体单晶的高温高压熔剂-坩埚下降法生长设备。包括吊装装置、底座(6)、压力罐(1)、加热炉(18)、下降装置(5)；吊装装置安装在压力罐(1)外壳的顶部；底...
- 李振荣周明斌范世骥徐卓
- 文献传递
- 一种高氮压助熔剂-坩埚下降法制备GaN晶体的方法
- 本发明公开了一种高氮压助熔剂-坩埚下降法制备GaN晶体的方法，包括：1）在充有保护气体的手套箱中将GaN籽晶或助熔剂和金属镓按照摩尔比1：9～9：1放入坩埚中；2）并将其放入高温高压晶体生长设备中，密封抽真空后充入含氮气...
- 李振荣周明斌范世*徐卓
- 文献传递
