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李振荣

作品数:57 被引量:111H指数:6
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 20篇专利
  • 10篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇理学
  • 13篇一般工业技术
  • 12篇电气工程
  • 11篇化学工程
  • 8篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇铁电
  • 14篇陶瓷
  • 11篇单晶
  • 11篇压电
  • 11篇介电
  • 10篇电性能
  • 10篇晶体
  • 9篇介电性
  • 8篇铁电体
  • 7篇介电性能
  • 7篇复相
  • 6篇压电陶瓷
  • 6篇坩埚下降法
  • 6篇下降法
  • 6篇复相陶瓷
  • 5篇助熔剂
  • 5篇居里
  • 5篇居里温度
  • 4篇单畴
  • 4篇电光

机构

  • 57篇西安交通大学
  • 2篇西安建筑科技...
  • 1篇宁波大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇空军工程大学
  • 1篇宾夕法尼亚州...
  • 1篇江西科技师范...

作者

  • 57篇李振荣
  • 37篇徐卓
  • 19篇姚熹
  • 12篇张良莹
  • 8篇马明
  • 8篇魏晓勇
  • 6篇周明斌
  • 6篇夏颂
  • 5篇张树君
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  • 4篇王晓莉
  • 4篇王三红
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  • 2篇杨琛
  • 2篇施宏宇
  • 2篇岳振星
  • 2篇汶飞
  • 2篇汪宏
  • 2篇张安学

传媒

  • 4篇压电与声光
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇硅酸盐通报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇第十六届全国...
  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国照明电器
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第三届中国功...

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2019
  • 6篇2017
  • 4篇2016
  • 9篇2015
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 3篇2001
  • 3篇2000
  • 4篇1999
  • 2篇1998
57 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PbTiO3溶胶-凝胶颗粒包覆法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3系复相陶瓷
用Pb TiO溶胶-凝胶颗粒包覆法制备了满足X7R温度稳定特性的Pb(NiNb)O-PbTiO系复相陶瓷。该陶瓷的介电温谱同两相直接混合法制备的陶瓷的介电温谱结果相比,PbTiO包覆层的存在,在一定程度上抑制了两相间的固...
李振荣王晓莉张良莹姚熹
关键词:复相陶瓷
文献传递
铅基弛豫型铁电复相陶瓷的制备、结构及介电性能研究
该文拓宽了铅基弛豫型铁电复相陶瓷的研究体系.在铌锌酸铅(PZN)、铌镍酸铅(PNN)、铌镁酸铅(PMN)等铅基弛豫型铁电体系统中,开展了复相陶瓷的制备、结构及介电性能研究.从组成、晶体结构以及制备工艺等方面入手,对影响复...
李振荣
关键词:复相陶瓷弛豫型铁电体铌锌酸铅铌镁酸铅相组成相组成烧成条件
文献传递
GaN体单晶生长研究进展被引量:1
2017年
宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点。以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为当前制约GaN器件发展的瓶颈。本文从影响LED器件设计与制造的关键因素(衬底)分析,综述了近年来几种常见GaN体单晶生长方法,并对它们的发展前景做出了展望。
周明斌李振荣范世马岂徐卓熊志华
关键词:GAN
弛豫铁电单晶的研究进展—压电效应的起源研究被引量:12
2012年
由于具有优异的压电性能,弛豫铁电单晶自上世纪90年代问世以来即成为了铁电压电领域研究的热点材料,并被认为是研发下一代高性能换能器、传感器等器件的重要压电材料。弛豫铁电单晶不但压电常数可达2500 pC/N,约为软性Pb(Zr,Ti)O3(PZT)陶瓷的5倍,而且其电致应变滞后也远小于软性PZT陶瓷。因此,弛豫铁电单晶高压电性能的产生机理一直是铁电压电领域的研究热点。本文主要介绍了弛豫铁电单晶材料在近些年的发展,从本征压电效应(晶格压电畸变)的角度归纳总结了弛豫铁电单晶高压电效应的产生机理,着重探讨了弛豫铁电单晶的重要特点—剪切压电效应。在本征效应的基础上,本文对弛豫铁电单晶压电效应与晶体组分、切向以及温度的关系进行了分析。需要指出的是,目前基于本征角度对弛豫铁电单晶高压电效应的分析仍处于定性的阶段,因而还不能完全排除一些可能导致弛豫铁电单晶高压电效应的非本征物理机制。
李飞张树君李振荣徐卓
关键词:单晶体压电效应
直流偏压下PMN-32%PT单晶的介电异常变化被引量:4
2003年
在不同直流偏压下,测试了[001]和[111]方向的PMN-32%PT单晶的介电温度谱,研究了其介电响应和相变行为。当施加的偏压在E=1.5~4.0kV/cm范围内,在三方相稳定的温度范围内有一个新的异常介电峰出现;当E>4.0kV/cm时,异常介电峰消失。而对于[111]方向的单晶,在偏压下没有新的异常介电峰出现。对直流偏压下PMN-32%PT单晶的介电异常变化进行了讨论。
惠增哲李振荣徐卓张良莹姚熹
关键词:铁电相变
BiScO_3-Bi(Zn_(1/2)Ti_(1/2))O_3-PbTiO_3高居里温度压电陶瓷介电压电性能研究被引量:2
2016年
采用传统陶瓷工艺制备(1-x)Bi(Sc_(0.9)(Zn_(1/2)Ti_(1/2))_(0.1))O_3-xPbTiO_3(BS-0.1BZT-xPT)陶瓷试样。研究了BZT含量为0.1%(摩尔分数)时,不同PT含量BS-0.1BZT-xPT压电陶瓷结构、介电和压电性能的变化规律。研究表明,随着PT含量增加,试样从三方相向四方相转变;当PT含量为0.60~0.62之间时,试样处在三方到四方的过渡区。当PT量为0.6时,试样压电性能达到最大值(d33=250pC/N,kp=43%)。当PT量增加,试样居里温度呈上升趋势,εr max值先增加后减小。当PT含量为0.60时,试样铁电性能达到最大值,Pr=34.4μC/cm^2,Ec=19.2kV/cm。
张强李振荣
关键词:压电陶瓷高居里温度铁电性能
氟化锂改性BSPT陶瓷的介电压电性能研究
本文以传统固相法合成制备了LiF掺杂0.36BiScO3-0.64PbTiO3高温压电陶瓷,采用XRD和SEM分析陶瓷相组成和显微结构,并对陶瓷的介电和压电性能进行了测试。实验结果表明,LiF掺杂的0.36BiScO3-...
李慧李振荣徐卓
关键词:压电陶瓷介电系数
文献传递
铁电单晶/环氧2-2结构及应力板加固的2-2结构复合材料
本发明涉及一种铁电单晶/环氧2-2结构及应力板加固的2-2结构复合材料及其制备方法。2-2结构复合材料具有复合钙钛矿结构的Relaxor-PbTiO<Sub>3</Sub>铁电单晶和聚合物组成,利用切割-填充法得到的2-...
李丽丽张树君徐卓耿学仓汶飞马明李振荣
文献传递
X7R型复相陶瓷的制备及介电性能研究被引量:4
2001年
用两相混合烧结法制备了 PZN基和 BT基复合的复相陶瓷。研究了起始两相的比例以及粉末的粒度和烧成条件对复相陶瓷介电性能的影响。通过优化工艺条件 ,获得了满足 X7R(ΔC/ C<± 15 % ,- 5 5~ 12 5°C)
李振荣张良莹姚熹
关键词:复相陶瓷介电性能X7R
3英寸PIN-PMN-PT单晶的生长及介电压电性能研究
采用籽晶诱导的坩埚下降法研究了3英寸PIN-PMN-PT弛豫铁电单晶的生长工艺。搭建了适于生长3英寸弛豫铁电单晶的单晶生长炉,获得了理想的炉温温场分布。通过优化单晶生长工艺参数,成功生长出具有[110]取向长度为80mm...
李振荣徐卓车俊万玉慧李飞王领航范世(马岂)姚熹
文献传递
共6页<123456>
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