颜钟惠
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：湖南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金宁波市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 原子层沉积Al_2O_3薄膜钝化n型单晶硅表面的研究被引量：3
- 2013年
- 以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的化学成分,在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响,并分析了钝化机理。结果表明:ALD技术制备的Al2O3薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7cm/s,表面钝化效果显著。
- 李想颜钟惠刘阳辉竺立强
- 关键词：太阳能电池原子层沉积AL2O3薄膜
- 低压IZO基氧化物薄膜晶体管的研究
- 随着便携式移动电子设备及新型显示技术的发展，低压氧化物薄膜晶体管吸引了众多研究者的关注。以往研究的氧化物薄膜晶体管，其工作电压一般都在20V以上，使得器件在使用的过程中功耗较大，这样既会提高器件的使用成本，又因在较短的时...
- 颜钟惠
- 关键词：原子层沉积介电常数透光率
- 文献传递
- 氧对IZO低压无结薄膜晶体管稳定性的影响
- 2013年
- 本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管,并研究了氧分压对其稳定性的影响.氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结构新颖等优点,然而氧化物沟道层易受氧、水分子等影响,造成稳定性下降.在室温下,本文通过改变高纯氧流量制备氧化铟锌透明导电薄膜作为沟道层、源漏电极,分析了氧压对于氧化物无结薄膜晶体管稳定性的影响.为使晶体管在低电压(<2V)下工作,达到低压驱动效果,本文采用具有双电层效应和栅电容大的二氧化硅纳米颗粒膜作为栅介质;通过电学性能测试,制备的晶体管工作电压仅为1V、开关电流比大于106、亚阈值斜率小于100mV/decade以及场效应迁移率大于20cm2/V.s.实验研究表明,通氧制备的氧化铟锌薄膜的电阻率会上升,导致晶体管的阈值电压向正向漂移,最终使晶体管的工作模式由耗尽型转变为增强型.
- 张耕铭郭立强赵孔胜颜钟惠
- 关键词：薄膜晶体管氧分子
- 基于微孔SiO_2栅介质的透明氧化物薄膜晶体管
- 2013年
- 采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备微孔SiO2薄膜并将其作为栅介质,制作了基于微孔SiO2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管。利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征。结果表明,微孔SiO2栅介质具有双电层效应,这种微孔SiO2栅介质透明氧化物薄膜晶体管器件具有工作电压低,开关电流比大,透光性高,稳定性强等良好性能。
- 颜钟惠王瑶吴国栋轩瑞杰李想
- 关键词：薄膜晶体管
