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郭瑜

作品数：13 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 12篇量子级联
  • 11篇激光
  • 11篇激光器
  • 10篇量子级联激光...
  • 8篇欧姆接触
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 5篇波导
  • 4篇单模
  • 4篇铟镓砷
  • 3篇分子束外延技...
  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓衬底
  • 2篇磷化铟
  • 2篇镓
  • 2篇衬底
  • 1篇淀积
  • 1篇动力学
  • 1篇有源
  • 1篇欧姆接触电极

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇郭瑜
  • 13篇刘峰奇
  • 13篇刘俊岐
  • 9篇王占国
  • 6篇李路
  • 5篇路秀真
  • 3篇梁平
  • 3篇胡颖
  • 3篇孙虹
  • 2篇李成明
  • 2篇周华兵
  • 2篇邵晔
  • 2篇邵烨
  • 2篇梁凌燕
  • 2篇吕小晶
  • 1篇陈涌海
  • 1篇常秀兰
  • 1篇王春华
  • 1篇金鹏

传媒

  • 4篇Journa...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 5篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs/AlGaAs量子级联激光器自脉动动力学
2007年
利用步进扫描时间分辨傅里叶变换红外光谱,研究了波长9.76μm GaAs/AlGaAs量子级联激光器的准连续波激射谱.在驱动电流周期内,时间上堆叠的发射谱能够观察到明显的光强自脉动现象.有源区中的自加热积累大大影响了电子的驰豫和输运性质.热引起的在注入区较高子能级中占据的载流子由于这些子能级与下一注入区的连续态形成共振条件而泄露,而耦合阱有源区中第四子能级的存在加快了这个过程.周期性破坏和恢复的共振条件所引起的载流子泄露在很大程度上导致了时域堆叠光谱的自脉动.
刘俊岐刘峰奇李路邵烨郭瑜王占国
关键词：量子级联激光器自脉动分子束外延
砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限...
李路刘峰奇刘俊岐郭瑜周华兵梁凌燕吕小晶
文献传递
镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法
一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的...
刘俊岐刘峰奇路秀真郭瑜梁平胡颖孙虹
文献传递
短腔长单模量子级联激光器
2006年
报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器.
刘峰奇郭瑜李路邵晔刘俊岐路秀真王占国
一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法
一种磷化铟基量子级联半导体激光器，包括：一N型磷化铟衬底；一N型铟镓砷下波导层，该下波导层制作在N型磷化铟衬底上；一35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源区，该有源区制作在下波导层上；一N型铟镓砷上波导层，该上波导层制作在有...
郭瑜王春华刘俊岐刘峰奇王占国
文献传递
红外量子级联激光器材料和器件
刘峰奇王占国郭瑜路秀真刘俊岐常秀兰金鹏梁平胡颖孙虹李路邵晔李成明徐波陈涌海
量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段单极光源，中科院半导体研究所材料科学重点实验室在量子级联激光器研究中取得突破性进展。研制出了世界上第一个短腔长单模应变补偿铟镓砷/铟铝砷(InGaAs/InAl...
关键词：
关键词：量子级联激光器红外
单模量子级联激光器的器件结构及制作方法
一种单模量子级联激光器的器件结构，包括：一n型磷化铟衬底；一n型铟镓砷下波导层制作在n型磷化铟衬底上；35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源层制作在下波导层上；一n型铟镓砷上波导层制作在有源层上；一n型铟铝砷上包层制作在n型...
郭瑜刘峰奇刘俊岐王占国
文献传递
单模F－P腔量子级联激光器的器件结构
一种单模量子级联激光器的器件结构，包括：一n型磷化铟衬底；一n型铟镓砷下波导层制作在n型磷化铟衬底上；35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源层制作在下波导层上；一n型铟镓砷上波导层制作在有源层上；一n型铟铝砷上包层制作在n型...
郭瑜刘峰奇刘俊岐王占国
文献传递
Ga As/Al Ga As量子级联激光器被引量：3
2005年
利用分子束外延方法生长了激射波长约为 9μm的 GaAs/Al0 45 Ga0 55 As量子级联激光器.条宽 35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.
刘俊岐路秀真郭瑜刘峰奇王占国
关键词：量子级联激光器分子束外延
7.8μm二级分布反馈量子级联激光器被引量：2
2005年
报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs／In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈，激射工作波长为7．8μm，在1％占空比，5kHz频率的工作条件下，在93～173K的温度范围内，单模发射光谱边模抑制比均超过20dB，调谐系数dλ／dT=0．5125nm／K．在93K时，峰值功率为30mW，直到153K时，峰值光功率仍达到12mW．
郭瑜刘峰奇刘俊岐路秀真王占国
关键词：量子级联激光器分子束外延
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