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郑高林

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇缓冲层
  • 4篇铟
  • 2篇氮气
  • 2篇氮源
  • 2篇电子器件
  • 2篇有机化合物
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子器件
  • 2篇金属
  • 2篇金属有机
  • 2篇金属有机化合...
  • 2篇化合物
  • 2篇非极性
  • 2篇氨气
  • 2篇镓
  • 2篇INN薄膜

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇郑高林
  • 4篇郭严
  • 4篇刘祥林
  • 4篇王占国
  • 4篇宋华平
  • 4篇朱勤生
  • 4篇杨少延
  • 4篇魏鸿源
  • 2篇杨安丽

年份

  • 2篇2011
  • 2篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法
本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上...
郭严宋华平郑高林魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法
本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非...
郑高林杨安丽宋华平郭严魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法
本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上...
郭严宋华平郑高林魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法
本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非...
郑高林杨安丽宋华平郭严魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
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