胡炜杰
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析
- 我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN单晶晶粒的完整性、杂质及缺...
- 董志远赵有文杨俊胡炜杰
- 关键词：湿法腐蚀单晶生长
- 文献传递
- InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析被引量：2
- 2010年
- 利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成。结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响。通常情况下,InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In2O3、As2O5、As2O3及元素As,而随着As的挥发,使抛光片表面化学计量比明显富铟。通过适当的化学处理控制其表面的化学组分,减小了表面粗糙度,从而获得材料外延生长所要求的开盒即用InAs单晶衬底。
- 胡炜杰赵有文段满龙王应利王俊
- 关键词：衬底
- TaC坩埚制备及在AlN单晶生长中的应用
- 采用物理气相传输法(PVT法)生长AlN体单晶的温度高达2200℃,生长过程中存在腐蚀性Al蒸汽,对所用坩埚材料的稳定性和寿命要求极高。TaC具有高熔点、耐腐蚀和性质稳定等优点,是PVT法生长AlN晶体的理想坩埚材料。本...
- 杨俊董志远胡炜杰段满龙赵有文
- 关键词：单晶生长
- 文献传递
- 化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响
- 通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-...
- 赵有文孙文荣段满龙董志远胡炜杰杨俊张金利王应利刘刚
- 关键词：单晶材料抛光表面磷化铟
- 文献传递
- 高质量化合物InP、GaSb和InAs开盒即用单晶衬底制备
- 通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、GaSb和InAs单晶。用X-射线衍射摇摆曲线分析了晶...
- 赵有文杨凤云段满龙孙文荣董志远杨俊胡炜杰刘刚王俊王应利
- 关键词：GASB单晶INP单晶
- 非掺杂LEC-InAs单晶的残留杂质与电学性能研究
- 非有意掺杂InAs单晶均呈N型电导,自由电子浓度可达3×1016cm-3以上。有关非掺InAs单晶中的施主杂质、缺陷及其产生规律的尚不清楚。本文利用辉光放电质谱(GDMS)定量分析了LEC法生长的InAs单晶的残留杂质,...
- 胡炜杰赵有文孙文荣段满龙董志远杨俊
- 关键词：砷化铟单晶生长电学性能辉光放电质谱
- 文献传递
- 离子注入AlN单晶的荧光谱分析
- 对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于200nm～254nm之间的宽峰,...
- 李巍巍赵有文董志远杨俊胡炜杰
- 关键词：离子注入氮化铝单晶生长发光特性荧光强度
- 文献传递
