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甘程

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇应变硅
  • 6篇氧化层
  • 6篇栅氧化
  • 6篇栅氧化层
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体技术
  • 4篇图形化
  • 4篇漏极
  • 3篇源极
  • 3篇栅结构
  • 3篇小尺寸
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇源区
  • 2篇锗硅
  • 2篇势垒
  • 2篇轻掺杂漏
  • 2篇重掺杂
  • 2篇阻挡层
  • 2篇晶体管

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇甘程
  • 13篇刘斌
  • 13篇曾庆平
  • 10篇王向展
  • 6篇罗谦
  • 4篇于奇
  • 4篇严慧
  • 3篇王凯
  • 3篇王微
  • 2篇黄思霓
  • 2篇郑良辰
  • 1篇郑良晨

传媒

  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法
一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)层在硅(Si)中引入应变形成应变硅(S...
王向展王微曾庆平罗谦郑良辰刘斌甘程
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具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变NMOSFET，包括源极、...
罗谦刘斌曾庆平严慧甘程王向展
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具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀，而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题，提供了一种具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法，其技术方案可概括为：具有...
王向展曾庆平邹淅甘程刘斌
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一种T型栅结构的MOS晶体管
一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管（T_gate MOS），属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽，使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度，同时...
王向展甘程曾庆平刘斌王凯黄思霓于奇
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具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀，而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题，提供了一种具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法，其技术方案可概括为：具有...
王向展曾庆平甘程刘斌邹淅
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具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变NMOSFET，包括源极、...
罗谦刘斌曾庆平严慧甘程王向展
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具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀，而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题，提供了一种具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法，其技术方案可概括为：具有...
王向展曾庆平邹淅甘程刘斌
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具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变PMOSFET，包括源极、...
罗谦刘斌曾庆平严慧甘程于奇
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应变LDMOS器件的特性研究
本文通过二维仿真软件研究采用SiN薄膜在LDMOS中引入应力对器件特性的影响.通过SiN薄膜覆盖在LDMOS器件的不同器件区域来研究漂移区中引入应力对器件击穿电压的影响.仿真结果表明覆盖有应力的SiN膜的器件的跨导、驱动...
郑良晨王微曾庆平王凯刘斌甘程
关键词：应变硅击穿电压饱和电流
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具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变PMOSFET，包括源极、...
罗谦刘斌曾庆平严慧甘程于奇
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