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甘程
作品数:
14
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
曾庆平
电子科技大学
刘斌
电子科技大学
王向展
电子科技大学
罗谦
电子科技大学
严慧
电子科技大学
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作者
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甘程
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刘斌
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曾庆平
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四川省电子学...
年份
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1篇
2015
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2014
5篇
2013
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一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法
一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法,属于半导体器件领域,尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法,来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)层在硅(Si)中引入应变形成应变硅(S...
王向展
王微
曾庆平
罗谦
郑良辰
刘斌
甘程
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具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题,提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法,其技术方案可概括为:具有槽型结构的应变NMOSFET,包括源极、...
罗谦
刘斌
曾庆平
严慧
甘程
王向展
文献传递
具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀,而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题,提供了一种具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法,其技术方案可概括为:具有...
王向展
曾庆平
邹淅
甘程
刘斌
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一种T型栅结构的MOS晶体管
一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管(T_gate MOS),属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽,使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度,同时...
王向展
甘程
曾庆平
刘斌
王凯
黄思霓
于奇
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具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀,而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题,提供了一种具有深槽结构的图形化应变NMOS器件及其制作方法,其技术方案可概括为:具有...
王向展
曾庆平
甘程
刘斌
邹淅
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具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题,提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法,其技术方案可概括为:具有槽型结构的应变NMOSFET,包括源极、...
罗谦
刘斌
曾庆平
严慧
甘程
王向展
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具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用局部应变技术沟道应力分布不均匀,而采用全局应变技术器件设计灵活性较低的问题,提供了一种具有深槽结构的图形化应变PMOS器件及其制作方法,其技术方案可概括为:具有...
王向展
曾庆平
邹淅
甘程
刘斌
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具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题,提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法,其技术方案可概括为:具有槽型结构的应变PMOSFET,包括源极、...
罗谦
刘斌
曾庆平
严慧
甘程
于奇
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应变LDMOS器件的特性研究
本文通过二维仿真软件研究采用SiN薄膜在LDMOS中引入应力对器件特性的影响.通过SiN薄膜覆盖在LDMOS器件的不同器件区域来研究漂移区中引入应力对器件击穿电压的影响.仿真结果表明覆盖有应力的SiN膜的器件的跨导、驱动...
郑良晨
王微
曾庆平
王凯
刘斌
甘程
关键词:
应变硅
击穿电压
饱和电流
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具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题,提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法,其技术方案可概括为:具有槽型结构的应变PMOSFET,包括源极、...
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曾庆平
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