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严慧

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 7篇肖特基
  • 7篇肖特基接触
  • 7篇晶体管
  • 6篇氮化镓
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇氧化层
  • 5篇异质结
  • 5篇异质结场效应...
  • 5篇栅氧化
  • 5篇栅氧化层
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体技术
  • 4篇势垒
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇击穿电压
  • 3篇阻挡层
  • 2篇电流增益
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇严慧
  • 10篇于奇
  • 10篇罗谦
  • 7篇尹成功
  • 7篇黄思霓
  • 7篇刘斌
  • 7篇罗杰
  • 7篇杜江锋
  • 5篇赵子奇
  • 4篇甘程
  • 4篇曾庆平
  • 3篇王向展
  • 2篇陈南庭

年份

  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2014
  • 7篇2013
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成...
杜江锋严慧刘斌尹成功黄思霓罗杰白智元陈南庭于奇
一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极...
杜江锋赵子奇罗杰尹成功严慧黄思霓罗谦于奇
文献传递
毫米波InAlN/GaN HEMT栅结构优化与器件特性分析
高频率、高功率一直以来都是GaN基HEMT器件研究的热点。InAlN/GaN HEMT则着重于提高器件的电流增益截止频率（fT）。InAlN具有极强的自发极化效应,能产生浓度高于AlGaN/GaN异质结的二维电子气。即使...
严慧
关键词：截止频率短沟道效应栅结构
文献传递
具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变NMOSFET，包括源极、...
罗谦刘斌曾庆平严慧甘程王向展
文献传递
一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，p-GaN电流阻挡层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势...
杜江锋赵子奇罗杰尹成功黄思霓严慧罗谦于奇
文献传递
一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成...
杜江锋严慧刘斌尹成功黄思霓罗杰白智元陈南庭于奇
文献传递
一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极...
杜江锋赵子奇罗杰尹成功严慧黄思霓罗谦于奇
文献传递
毫米波InAlN/GaN HEMT栅结构优化与器件特性研究
高频率、高功率一直以来都是 GaN基 HEMT器件研究的热点。InAlN/GaN HEMT则着重于提高器件的电流增益截止频率(fT)。InAlN具有极强的自发极化效应,能产生浓度高于AlGaN/GaN异质结的二维电子气。...
严慧
关键词：截止频率短沟道效应栅结构
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具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变PMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题，提供了一种具有槽型结构的应变PMOSFET及其制作方法，其技术方案可概括为：具有槽型结构的应变PMOSFET，包括源极、...
罗谦刘斌曾庆平严慧甘程于奇
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应变沟道鳍式场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有将应变硅沟道技术引入FINFET的方法中，应变方向与界面平行且制作相对复杂的问题，提供了一种应变沟道鳍式场效应晶体管及其制作方法，其技术方案可概括为：应变沟道鳍式场效应晶体管，包括半...
罗谦刘斌王向展于奇严慧
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