2024年8月25日
星期日
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
曾庆平
作品数:
25
被引量:0
H指数:0
供职机构:
电子科技大学
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
王向展
电子科技大学
刘斌
电子科技大学
甘程
电子科技大学
于奇
电子科技大学
罗谦
电子科技大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
22篇
专利
2篇
学位论文
1篇
会议论文
领域
6篇
电子电信
主题
11篇
半导体
9篇
应变硅
8篇
氧化层
8篇
栅氧化
8篇
栅氧化层
8篇
半导体技术
5篇
锗硅
5篇
小尺寸
5篇
沟道
4篇
淀积
4篇
图形化
4篇
漏极
4篇
晶体管
3篇
氮化硅
3篇
应力
3篇
源极
3篇
源区
3篇
重掺杂
3篇
LDMOS器...
3篇
MOS晶体管
机构
25篇
电子科技大学
作者
25篇
曾庆平
18篇
王向展
15篇
刘斌
13篇
甘程
11篇
于奇
9篇
罗谦
5篇
王微
4篇
秦桂霞
4篇
严慧
3篇
郑良晨
3篇
王凯
2篇
张易
2篇
黄建国
2篇
刘洋
2篇
黄思霓
2篇
赵迪
2篇
郑良辰
1篇
宁宁
传媒
1篇
四川省电子学...
年份
1篇
2017
6篇
2016
1篇
2015
4篇
2014
7篇
2013
4篇
2012
2篇
2011
共
25
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法
一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法,属于半导体器件领域,尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法,来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)层在硅(Si)中引入应变形成应变硅(S...
王向展
王微
曾庆平
罗谦
郑良辰
刘斌
甘程
文献传递
应力集中应变MOSFET可缩小性与工艺研究
应变硅具有载流子迁移率高,能带结构可调,与传统工艺兼容,对器件性能提升明显等特点而备受关注。通过缩短器件特征尺寸以提升器件性能已变得越来越困难,将应变技术小尺寸化以提升小尺寸器件性能,进一步延续摩尔定律具有重要意义。但在...
曾庆平
关键词:
应力集中
应变硅
文献传递
一种T型栅结构的MOS晶体管
一种具有“T”字型栅结构MOS晶体管(T_gate MOS),属于半导体器件领域。它的特征是在普通MOSFET的沟道区域形成凹槽,使栅极形状为“T”型结构。该结构较普通MOS器件提高了版图利用率、增大了有效沟道宽度,同时...
王向展
甘程
曾庆平
刘斌
王凯
黄思霓
于奇
文献传递
一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法
一种具有高锗(Ge)组分的应变锗硅(SiGe)层的制备方法,属于半导体技术领域,特别涉及应变锗硅(SiGe)层的制备。所述方法包括以下步骤:准备硅(Si)衬底;采用传统生长应变Si层的方法在Si衬底上长一层具有少量应变并...
王向展
王微
秦桂霞
曾庆平
文献传递
一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法
本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法,属于半导体技术领域。技术方案为:带槽型结构的应变NLDMOS器件,包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅,还包括设置在漂移...
王向展
邹淅
黄建国
赵迪
张易
曾庆平
于奇
刘洋
具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有硅化物电极的MOSFET器件由于硅化物电极向沟道区引入的应力不可控导致器件性能指标不稳定的问题,提供了一种具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件及其制作方法,其技术方案可概括...
罗谦
曾庆平
刘斌
邹淅
于奇
文献传递
一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法
一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法,涉及半导体材料中应变增强晶体管结构及制作方法,特别是DRAM存储单元的结构及制作方法。本发明提供的DRAM存储单元包含有开关MOS晶体管9和单元电容10,其特征在于在单元电容...
王向展
于奇
宁宁
秦桂霞
曾庆平
文献传递
引入了局部应力的LDMOS器件
本发明涉及LDMOS器件。本发明公开了一种利用应力提高器件性能,并降低其不良影响的引入了局部应力的LDMOS器件。本发明的技术方案是,引入了局部应力的LDMOS器件,包括体衬底,在衬底上形成相互邻接的阱区和漂移区,在阱区...
王向展
郑良晨
曾庆平
于奇
文献传递
一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法
一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法,属于半导体器件领域,尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法,来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)薄膜在硅(Si)中引入应变形成应变硅(...
王向展
王微
曾庆平
罗谦
郑良辰
刘斌
甘程
具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有应变NMOSFET采用DSL技术提升性能时相关工艺复杂的问题,提供了一种具有槽型结构的应变NMOSFET及其制作方法,其技术方案可概括为:具有槽型结构的应变NMOSFET,包括源极、...
罗谦
刘斌
曾庆平
严慧
甘程
王向展
文献传递
全选
清除
导出
共3页
<
1
2
3
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张