张志成
- 作品数：14 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响被引量：7
- 2001年
- 通过对 40 6 m m热场中氩气的流动方式及流速进行调整 ,得到了氧碳含量不同的硅单晶 ,并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来 ,对实验结果进行了分析 。
- 任丙彦张志成刘彩池郝秋燕王猛
- 关键词：数值模拟硅单晶生长
- 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底
- 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解耦合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外...
- 张志成杨少延黎大兵刘祥林陈涌海朱勤生王占国
- 文献传递
- Φ6″CZSi热系统的改造对原生缺陷密度的影响
- 2001年
- 在大直径CZSi单晶生长时 ,热场与氩气流场通过影响晶体与熔体的温度分布来影响硅单晶中缺陷的形成 .通过变单晶炉的普通热系统为以矮加热器为主的复合式热系统 ,改普通氩气流场为可控氩气流场 ,得到了原生缺陷密度不同的硅单晶 ,并通过对氩气流场的模拟分析 ,较好地解释了实验结果 .
- 任丙彦张志成刘彩池郝秋艳王猛
- 关键词：数值模拟硅单晶集成电路晶体生长
- 大直径直拉硅单晶炉热场的改造及数值模拟被引量：13
- 2000年
- 为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 4 0 6mm(16英寸 )热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数值模拟计算 ,分析了热场的温度分布 ,发现熔体的纵向温度梯度下降 ,熔体热对流减小 ,硅单晶中氧含量降低。
- 任丙彦刘彩池张志成郝秋艳
- 关键词：加热器热对流数值模拟
- 氧碳杂质对硅光电池光电转换效率影响的研究
- 任丙彦郝秋艳王海云张志成王猛乔治霍秀敏左燕
- 该项目通过对中氧中碳含量的硅片进行适当的热处理，从而使硅片表面的电活性杂质减少，体内减少了分散的载流子复合中心，减少了体内复合，提高了非平衡少数载流子寿命。同时该项目还首次将快速热处理工艺（RTP）引入太阳能电池的制备，...
- 关键词：
- 关键词：光电转换效率硅光电池
- 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法
- 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间...
- 张志成杨少延黎大兵陈涌海朱勤生王占国
- 文献传递
- 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底
- 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解偶合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外...
- 张志成杨少延黎大兵刘祥林陈涌海朱勤生王占国
- 文献传递
- 二元高k材料研究进展及制备被引量：1
- 2002年
- 随着大规模集成电路的发展 ,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2 ,介绍了有可能替代SiO2 的几种二元材料的研究现状 ,主要包括Si3N4 、Ta2 O5、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3、Gd2 O3和CeO2几种材料的结构和电学性能 ,以及制备薄膜的几种方法 :蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积。
- 周剑平柴春林杨少延刘志凯张志成陈诺夫林兰英
- 关键词：蒸发法CVDIBD系统芯片集成电路
- 大直径直拉硅单晶生长降氧碳机理研究及数值模拟
- 该文对大直径CZSi单晶炉进行了改造,改传统的热系统为以矮加热器为主的复合式热系统,并设置了合理的导流系统.改造后,化料时双加热器同时加热,大大缩短了熔硅时间,降低了杂质掺入的几率.拉晶时以矮加热器为主进行工作,降低了熔...
- 张志成
- 关键词：CZSI数值模拟
- 键合强度可调节的柔性衬底
- 本发明一种键合强度可调节的柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；在机械支撑衬底上生长一层去耦合的中间层结构，中间层结构与机械支撑衬底之间选择性腐蚀能力较强；在去耦合的中间层上生长一顶层结构，与机...
- 张志成杨少延黎大兵陈涌海王占国
- 文献传递
