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刘卫兵

作品数：48 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 24个北京市
  • 3个辽宁省
  • 2个山西省
共 29 条 记 录，以下是 1-10
高建峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 半导体器件 衬底 沟道 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 衬底 半导体器件 化学机械平坦化 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
明安杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：MEMS 红外光源 图形化 金属电极 光开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玮冰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：MEMS 自测试 红外光源 压阻 压阻传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 MEMS 沟道 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙西龙
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：红外光源 MEMS 金属电极 隔离层 图形化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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