您的位置： 专家智库 > >

彭志高

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：湖南大学电气与信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 4个电子电信
  • 3个电气工程
  • 2个自动化与计算...
  • 2个一般工业技术
  • 1个化学工程
  • 1个交通运输工程
  • 1个理学

主题

  • 4个电流
  • 4个短路
  • 4个短路测试
  • 4个短路电流
  • 4个短路特性
  • 4个氧化物半导体
  • 3个单相
  • 3个单相逆变
  • 3个单相逆变器
  • 3个导体
  • 3个电力
  • 3个电力电子
  • 2个导通
  • 2个电参数
  • 2个电场
  • 2个电力半导体
  • 2个电力半导体器...
  • 2个电力电子器件
  • 2个电力系统
  • 2个电子器件

机构

  • 4个湖南大学

资助

  • 4个国家自然科学...
  • 2个国家高技术研...
  • 2个湖南省自然科...
  • 2个国际科技合作...
  • 2个国家电网公司...
  • 2个国家教育部博...
  • 2个中央高校基本...
  • 1个高等学校全国...

传媒

  • 4个电源学报
  • 3个中国电机工程...
  • 2个物理学进展
  • 2个电力电子技术
  • 2个电工技术学报
  • 2个电子工业专用...
  • 2个南方电网技术
  • 2个磁性元件与电...
  • 2个中国科技论文
  • 1个半导体技术
  • 1个电力系统自动...
  • 1个湖南大学学报...
  • 1个电源技术
  • 1个电网技术
  • 1个电力系统及其...
  • 1个大功率变流技...
  • 1个电气工程学报
  • 1个第七届中国高...

地区

  • 4个湖南省
共 4 条 记 录，以下是 1-4
王小浩
供职机构：湖南大学电气与信息工程学院
研究主题：金属氧化物半导体场效应晶体管 短路特性 短路电流 短路测试 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俊
供职机构：湖南大学电气与信息工程学院
研究主题：SIC 碳化硅 可靠性 损耗模型 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江希
供职机构：湖南大学
研究主题：SIC MOSFET 温度敏感 电参数 结温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈征
供职机构：湖南大学
研究主题：微电网 碳化硅 逆变器 孤岛 发射极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0