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余涛

作品数：20 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金江苏省“青蓝工程”基金更多>>
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陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 SOI 阈值电压 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴展
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 阈值电压 驱动电流 SOI 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗杰馨
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 SOI 浮体效应 阈值电压 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伍青青
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 SOI 芯片面积 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
诸葛兰剑
供职机构：苏州大学
研究主题：光致发光 螺旋波 SIO ZNO薄膜 球磨
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴雪梅
供职机构：苏州大学
研究主题：螺旋波 光致发光 螺旋波等离子体 等离子体 球磨
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕凯
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 驱动电流 本征 栅氧化层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金成刚
供职机构：苏州大学
研究主题：螺旋波 螺旋波等离子体 射频电源 等离子体技术 等离子体光子晶体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董尧君
供职机构：苏州大学
研究主题：电学性质 退火 石墨烯纳米带 MOSFET器件 TA2O5
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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