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柴展

作品数：65 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇中文专利

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 29篇晶体管
  • 21篇阈值电压
  • 14篇驱动电流
  • 9篇SOI
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层
  • 8篇体效应
  • 8篇版图
  • 8篇本征
  • 7篇电路
  • 7篇总剂量
  • 7篇建模方法
  • 7篇浮体效应
  • 7篇场效应
  • 6篇电学
  • 6篇电学特性
  • 6篇噪声
  • 6篇射频
  • 6篇接触区

机构

  • 65篇中国科学院

作者

  • 65篇柴展
  • 65篇陈静
  • 58篇罗杰馨
  • 44篇王曦
  • 34篇吕凯
  • 28篇伍青青
  • 28篇何伟伟
  • 26篇黄建强
  • 14篇余涛
  • 7篇王硕
  • 4篇杨燕
  • 2篇林泽

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 8篇2019
  • 6篇2018
  • 5篇2017
  • 9篇2016
  • 8篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 10篇2012
  • 4篇2011
共 65 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法
本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了...
罗杰馨陈静伍青青柴展余涛吕凯王曦
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一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻...
柴展陈静罗杰馨伍青青王曦
一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源漏结构...
陈静伍青青罗杰馨柴展余涛王曦
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P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
静态随机存储单元及其制作方法
本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管均采用L型栅；可以在牺牲较小单元面积的情况下(最终的有效单元面积可小于8μm<Sup>2</Sup>)有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效...
陈静王硕王本艳柴展
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P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个PMOS管和两个二极管，两个PMOS管共用体区，所...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
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基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法
本发明提供一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法。该基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及形成于该埋氧化层上的有源区和隔离区；所述有源区一端形成有集电极，其余部分形成集电区，...
罗杰馨陈静伍青青柴展余涛吕凯王曦
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双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法
本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理或...
陈静杨燕罗杰馨柴展
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多叉指栅极结构MOSFET的版图设计
本发明提出了一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区，体接触区为第一多叉指栅极结构及第二多叉指栅极结构共用。通过采用体接触区公用的方法，可以提...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
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